仕様●サイズ：2インチシリコンウェハ●直径(mm)：50.0±0.2●ウェハー厚(μm)：280±25●製造方法：FZ法●導電型：ドンドープ●面方位：100●OF方位：110●抵抗値(Ω・cm)：≧10000●OF長(mm)：17.5±2.5●面状態：ミラー/エッチド●パーティクル：≧0.3μm，≦20個●TTV(μm)：≦25●数量：5枚●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し
アズワン品番65-3735-79
