NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Q3シリーズ.IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100V及び70Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。.高速真性整流器低RDS(オン)及びQG(ゲート電荷量)低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
