チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 900 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
パッケージタイプ = E-Line
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 3V
最大パワー消費 = 850 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 2.41mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc
