チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmデュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.