onsemi トランジスタ， PNP， 表面実装， -8 A， MJD45H11T4G

トランジスタタイプ = PNP
最大DCコレクタ電流 = -8 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 1.75 W
最小DC電流ゲイン = 60
トランジスタ構成 = シングル
最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
最大動作周波数 = 90 MHz
ピン数 = 3
1チップ当たりのエレメント数 = 1
寸法 = 2.38 x 6.73 x 6.22mm
先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor