チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 12 A
パッケージタイプ D2PAK (TO-263)
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 350 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 5V
最低ゲートしきい値電圧 3V
最大パワー消費 160 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 ±30 V
幅 9.35mm
動作温度 Min -65 ℃mm
The MDmesh is new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESHhorizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance， impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Tight process control and high manufacturing yields Low gate input resistance Applications Switching application
