チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 30 A
最大ドレイン-ソース間電圧 200 V
シリーズ STripFET
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 75 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
最低ゲートしきい値電圧 2V
最大パワー消費 125 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
幅 9.35mm
動作温度 Min -55 ℃mm
NチャンネルSTripFET、STMicroelectronics
