チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 9 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = ECH
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.6V
最大パワー消費 = 1.5 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 2.3mm
高さ = 0.9mm
ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V
