Vishay Nチャンネル MOSFET150 V 2.7 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン

チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 2.7 A
最大ドレイン-ソース間電圧 150 V
パッケージタイプ SOIC
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 95 m
チャンネルモード エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 2V
最大パワー消費 3 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V
幅 4mm
動作温度 Min -55 ℃mm
ハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET