チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 960 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
パッケージタイプ = SOT-223
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 3.1 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
長さ = 6.7mm
動作温度 Min = -55 ℃mm
NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
