チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 2.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 2.5 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 6.22mm
高さ = 2.39mm
NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor
