チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 7.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 4.2 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm
高さ = 1.55mm
PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
