チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 135 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
パッケージタイプ = SC-89-6
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 6
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 250 mW
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
長さ = 1.7mm
高さ = 0.6mm
デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor