チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 16 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
シリーズ = MegaFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 47 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 60 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V
長さ = 6.73mm
高さ = 2.39mm
MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
