International Rectifier の Infineon シリーズ第 5 世代 HEXFET は、 Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積に対するオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。SO-8 のリードフレームがカスタマイズされて、熱特性とマルチダイ対応が向上しており、各種パワー用途の理想的なデバイスとなっています。この改善により、複数のデバイスを 1 つの用途で使用できるようになり、基板スペースが大幅に削減されます。パッケージは気相用に設計され、赤外線はウェーブはんだ付けに対応しています。Generation V テクノロジー 超低オン抵抗 表面実装 アバランシェ定格一杯です デュアル N チャンネル MOSFET です
