8インチSICウェハ 研究用

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内容量1箱(1枚) 注文コード84412285 品番-
参考基準価格(税別)¥328,000 販売価格(税込) ¥360,799
販売価格(税別)
327,999

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様●グレード:ダミーグレード●タイプ:4H●Surface orientation error:<11-20>4±0.5 °●ドーパント:N型 Nitrogen●抵抗率:0.015〜0.025 ohm・cm●直径:200.0±0.2mm●厚み:500±25 μm●主要ノッチ方位:[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ:1-1.5 mm●セカンドオリフラ:None●LTV:≦10(10mm×10mm)μm●TTV:≦15μm●Bow:0±65μm●Warp:≦70μm●(AFM)Front(Si-face)Roughness:Ra≦0.2 nm●マイクロパイプ:≦50ea/cm●金属不純物:NA●TED:NA●BPD:NA●TSD:NA●<表面状態>●フロントサイド:Si●面状態:Si-face CMP●パーティークル:NA●スクラッチ:NA●<裏面状態>●面状態:C-face polished●スクラッチ:NA ea/mm●裏面粗さ:Ra≦5 nm●レーザーマーク:On●エッジ:Chamfer●Notes:"NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量:1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。 アズワン品番67-3018-45
注意
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

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