単結晶SiCウェハ 6インチ・4H-N プロダクショングレード

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内容量1枚 注文コード84453226 品番-
参考基準価格(税別)¥167,000 販売価格(税込) ¥175,780
販売価格(税別)
159,800

高品質の単結晶SiCウェハ

仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード: プロダクション●直径: 149.5mm〜 150.0mm (6インチ)●厚さ: 350 μm±25 μm●オフ角度: <11-20 >に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 2 個/cm-2 以下●比抵抗値: 0.015〜0.024Ω-cm●オリフラ: {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE): ウェハ端から3mm●反り: LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ: 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック: 無●結晶多形: 無●エッジチッピング: 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包 アズワン品番68-4088-75

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