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エコロジープロダクト
「mos fet」の検索結果
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 58 A， 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝￥759税込￥8351袋(5個)当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 58 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel， TK4， TK5 Series， ToshibaRoHS指令(10物質対応)対応
パワーMOS FETリレー G3DZ
omron(オムロン)(2件のレビュー)￥999～税込￥1,099～1個当日出荷から62日以内出荷形G6Dと同一形状でAC/DC両用、DC専用をシリーズ化。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。
パワーMOS FETリレー G3RZ
omron(オムロン)(1件のレビュー)￥2,298税込￥2,5281個当日出荷形G2Rと同一形状のパワーMOS FETリレー。 AC/DC両用、1A負荷開閉可能。 AC240VまたはDC100V、1Aの負荷開閉可能。 出力間開路時漏れ電流10μA以下。 入出力間耐電圧AC2500V。 入力抵抗と過電圧吸収回路内蔵。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 RoHS適合。質量(g)約20負荷電圧(V)AC3～264、DC3～125出力の適合負荷1.0A AC5～240V、DC5～100V絶縁方式フォト・ボル・カプラ絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)使用周囲温度(℃)-30～+85(ただし、氷結および結露しないこと)端子構造プラグイン端子使用周囲湿度45～85%RH定格負荷電圧(V)DC5～100 AC5～240保存温度範囲(℃)-30～+100(ただし、氷結および結露しないこと)漏れ電流(mA)開路時/1×10-2以下(DC125Vにて)、0.1以下(AC200Vにて)復帰電圧DC1V以上耐衝撃(m/s2)1000耐振動10～55～10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)出力オン抵抗(Ω)2.4以下負荷電流(A)100μA～1Aサージオン電流耐量(A)10(10ms)RoHS指令(10物質対応)対応耐電圧(V/min)(入出力間)AC2500 50/60Hz商品タイプリレー同一形状ゼロクロス機能無
パワーMOS FETリレー G3FM
omron(オムロン)￥4,898～税込￥5,388～1個当日出荷漏れ電流100μA以下、ブリーダ抵抗不要の微少負荷開閉用のSSR。 形MY(2極タイプ)と同寸法。 1～500mAの微少負荷開閉用のソリッドステート・リレー。 AC・DC共用開閉で、DC開閉は無極性。 AC19.2～264V、DC19.2～125Vと広範囲の開閉が可能。 AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。 動作表示ランプ付。SSRへの入力状態がひと目で確認可能。 形MYを直接開閉(ブリーダ抵抗不要)。 バリスタ内蔵により外来サージの吸収効果が優れています。用途微少負荷制御用・バルブ・ソレノイド質量(g)約50負荷電圧(V)AC19.2～264、DC19.2～125出力の適合負荷0.5A AC24～240V、DC24～110V絶縁方式フォト・ボル・カプラ絶縁抵抗(MΩ)100以上(DC500Vメガにて)使用周囲温度(℃)-30～+80(ただし、氷結および結露しないこと)端子構造プラグイン端子定格負荷電圧(V)DC24～110 AC24～240出力オン電圧降下3V(RMS)以下漏れ電流(mA)0.1以下(AC200Vにて)復帰電圧DC1V以上耐衝撃(m/s2)1000耐振動10～55～10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm)負荷電流(A)1～500mA (40℃にて)サージオン電流耐量(A)6(10ms)保管温度(℃)-30～+100(ただし、氷結および結露しないこと)耐電圧(V/min)AC1500 50/60Hz商品タイプリレー同一形状使用周囲湿度(%RH)45～85ゼロクロス機能無
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 900 V， 9 A， 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝(1件のレビュー)￥999税込￥1,0991個当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK8 / TK9シリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 2 A， 3 ピン パッケージPW成形 TK シリーズ
東芝￥199税込￥2191個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = PW成形実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 280 pF @ 25 VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピン パッケージTO-92
ON SEMICONDUCTOR￥459税込￥5051袋(10個)当日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
Wolfspeed Nチャンネル パワーMOSFET
WOLFSPEED￥2,698～税込￥2,968～1個ほか翌々日出荷から7日以内出荷チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 124 A スルーホール パッケージダイレクトFET大型キャン
INFINEON￥539税込￥5931個7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 124 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = ダイレクトFET大型キャン実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
ミニPWM発生器キット
共立電子産業￥1,398税込￥1,5381セット欠品中ミニPWM発生器キットは、CMOS版の555を使用した固定周波数/可変デューティ比発振回路の組み立てキットです。基板上のボリュームで、PWM出力のデューティ比を約10%～90%の範囲で可変できます。基板上にパワーMOS-FETを搭載していますので、1Aくらいの負荷(小型DCモータなど)を直接駆動できます。パワーMOS-FET部の電源は、発振回路部の電源とは別電源にできます。基板はM3ネジで取り付け可能。電源電圧DC5V～12Vデューティー比約10%～90%(可変)発振周波数(kHz)約25(固定)最大負荷電流(A)【パワーMOS-FET部】平均1基板寸法(mm)約47×33 ※ボリュームの出っ張りは含みません
ターミナルリレー G6D-F4B / G3DZ-F4B
omron(オムロン)(5件のレビュー)￥4,398～税込￥4,838～1個当日出荷使いやすさと省スペースを追求した4点出力用ターミナルリレー。幅31×高さ35×奥行68mm。 PYFソケットと同等のサイズ。独立接点、独立コイル。ショートバー(別売)で、簡単にコモン接続。しかも、隣りあうターミナルもコモン接続可能。端子カバーで、感電防止。リレー搭載タイプとパワーMOS FETリレー搭載タイプを品揃え。動作表示LEDつき。コイルサージ吸収用ダイオード内蔵。DINレール取りつけ、ねじ取りつけ共用。標準品でUL、CSA、VDE規格認定品(VDE規格は形G6D-F4Bのみ)。質量(g)約65使用温度範囲(℃)-25～55(結露、氷結しないこと)保存温度(℃)-25～65(結露、氷結しないこと)接触抵抗(mΩ)100以下(DC5V 1A)保管温度(℃)-25～+55(ただし、氷結しないこと)使用周囲湿度(%RH)45～85
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