"スページング" INFINEON 【通販モノタロウ】

IRF7319TRPBF Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A、6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A、6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ， 98 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 2mm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(20個)

￥2,898 税込￥3,188

7日以内出荷

IRF7507TRPBF Infineon N， Pチャンネル MOSFET20 V 1.7 A、2.4 A 表面実装パッケージMSOP 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon N， Pチャンネル MOSFET20 V 1.7 A、2.4 A 表面実装パッケージMSOP 8 ピン

エコ商品

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.7 A、2.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = MSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ， 270 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 1250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 5.3 nC @ 4.5 V、5.4 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥129 税込￥142

5日以内出荷

IRF7309TRPBF Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 3 A、4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 3 A、4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様チャンネルタイプ = N， P、最大連続ドレイン電流 = 3 A、4 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V、シリーズ = HEXFET、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 8、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ， 160 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 1V、最低ゲートしきい値電圧 = 1V、最大パワー消費 = 1.4 W、トランジスタ構成 = 絶縁型、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V、動作温度 Max = +150 ℃mm、高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(4000個)

￥199,800 税込￥219,780

7日以内出荷

IRF7105TRPBF Infineon N， Pチャンネル MOSFET25 V 2.3 A、3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon N， Pチャンネル MOSFET25 V 2.3 A、3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 2.3 A、3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ， 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(4000個)

￥179,800 税込￥197,780

7日以内出荷

IRF9952TRPBF Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A、3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A、3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 2.3 A、3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ， 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 6.1 nC @ 10 V、6.9 nC @ 10 Vmm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(20個)

￥1,998 税込￥2,198

7日以内出荷

「スページング」の検索結果