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Infineon の OptiMOS シリーズデュアル N チャンネル MOSFET は、ドレイン - ソース電圧が 55ワイヤボンディング及びボンドワイヤ用の大規模なソースリードフレーム接続の利点は、最大 20 A の電流で 200 um のものがあります。車載AEC-Q101認定 MSL1 Peak リフロー：最高 260 ℃ ～ 175 ℃ の動作温度 グリーンパッケージ 超低 RDS 100% アバランシェ試験済み
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = TDSON実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.065 Ω Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.2V1チップ当たりのエレメント数 = 2
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(5000個)
￥359,800
税込￥395,780
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EiceDRIVER絶縁型MOSFET / IGBTゲートドライバ。入出力間の絶縁電圧: 幅広い入力動作範囲 個別のソース / シンク出力 用途: ACモータ / ブラシレスDCモータドライブ
仕様ロジックタイプ = CMOS、出力電流 = -9.4 A、10 A、供給電圧 = 17V、ピン数 = 8、パッケージタイプ = DSOns、出力数 = 2、上昇時間 = 20ns、トポロジー = ガルバニック絶縁、高/低サイド依存性 = 独立、ドライバ数 = 2、極性 = 反転， 非反転、実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥399,800
税込￥439,780
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Infineon の MOSFET 設計は MOSFET トランジスタとも呼ばれ、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」を意味します。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。ロジックレベル エンハンスメントモードグリーン製品( RoHS 対応) AEC認定
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 0.035 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V1チップ当たりのエレメント数 2
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥2,898
税込￥3,188
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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥629
税込￥692
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,398
税込￥1,538
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥3,698
税込￥4,068
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 210 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 120 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥269
税込￥296
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 210 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥159
税込￥175
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 75 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥519
税込￥571
欠品中
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm順方向ダイオード電圧 = 1.7V
1袋(10個)
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.83mm高さ = 9.65mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥9,498
税込￥10,448
5日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
1袋(5個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 28 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm
1袋(25個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ TDSON実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 8.6 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 156 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 1.2VInfineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
1袋(10個)
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 96 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃V
1袋(10個)
￥2,398
税込￥2,638
5日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥8,998
税込￥9,898
5日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 280 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V長さ = 6.7mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 1.75mm高さ = 1.3mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥67,980
税込￥74,778
5日以内出荷
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 380 W最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃高さ = 9.65mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 330 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.83mm高さ = 9.02mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥17,980
税込￥19,778
5日以内出荷
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 57 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2000個)
￥139,800
税込￥153,780
5日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,498
税込￥2,748
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 71 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥749
税込￥824
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 34.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 30 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃mm
1セット(50個)
￥34,980
税込￥38,478
5日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ；/sub>この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 366 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 20.7mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥549
税込￥604
5日以内出荷
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 209 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 470 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(25個)
￥15,980
税込￥17,578
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 360 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -40 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥319
税込￥351
翌々日出荷
Infineon 車載用NチャンネルパワーMOSFET. InfineonのAECQ-101車載用認定済みシングルダイNチャンネルデバイスの包括的なポートフォリオは、多くの用途で幅広い電源要件に対応します。このディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品群には、表面実装及びリード線付きパッケージのNチャネルデバイスと、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm高さ = 16.51mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥19,980
税込￥21,978
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥4,498
税込￥4,948
5日以内出荷
デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4.9V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 100 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,498
税込￥1,648
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NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V動作温度 Max = +175 ℃高さ = 16.51mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 600 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5.5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥629
税込￥692
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 90 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 70 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 66 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.75mm動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥3,298
税込￥3,628
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DirectFETRパワーMOSFET、Infineon. DirectFETR パワーパッケージは、表面実装のパワーMOSFETパッケージング技術を採用しています。 DirectFETR MOSFETは、エネルギー損失量を削減しながら、高度なスイッチング用途向けに設計するフットプリントを縮小するソリューションです。. 該当するフットプリントに収納された業界最低のオン抵抗 非常に低いパッケージ抵抗で導電損失を最小化 非常に効率的な両面冷却により、電力密度、コスト及び信頼性が大幅に改善されます。 わずか0.7 mmの低プロファイル
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 375 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = DirectFET， HEXFET実装タイプ = 表面実装最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 7.1mm順方向ダイオード電圧 = 1.3V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥1,598,000
税込￥1,757,800
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Infineon OptiMOS 5パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = OptiMOS 5実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 139 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 1.1mm
1セット(5000個)
￥1,398,000
税込￥1,537,800
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NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 29 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥3,498
税込￥3,848
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Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 6 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.2V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 79 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,898
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