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Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
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Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512 K x 8ビットインターフェースタイプ = パラレルデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm長さ = 18.51mm幅 = 10.26mm高さ = 1.04mm動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512Kbit RoHS指令(10物質対応)対応
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6,398 税込7,038
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仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 15ns●クロック周波数: 104MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 16●寸法: 10.49×7.59×2.36mm●高さ: 2.36mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。 RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●メモリサイズ:4Mbit●構成:512 K x 8ビット●インターフェースタイプ:パラレル●データバス幅:8bit●最大ランダムアクセス時間:45ns●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSOP●ピン数:44●寸法:18.51 x 10.26 x 1.04mm●長さ:18.51mm●幅:10.26mm●高さ:1.04mm●動作供給電圧 Max:3.6 V●動作温度 Max:+85 ℃●ワード数:512Kbit●Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。 RoHS指令(10物質対応)対応
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