"トランジスタ技術" INFINEON 【通販モノタロウ】

IKW50N60TFKSA1 Infineon IGBT 600 V 100 A， 3-Pin TO-247 INFINEON

INFINEONInfineon IGBT 600 V 100 A， 3-Pin TO-247

エコ商品

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低いターンオフ損失が低いショートテール電流低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

仕様最大連続コレクタ電流 = 100 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 333 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(30個)

￥21,980 税込￥24,178

7日以内出荷

IKW30N60TFKSA1 Infineon Nチャンネル IGBT 600 V 45 A， 3-Pin TO-247 シングル INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル IGBT 600 V 45 A， 3-Pin TO-247 シングル

エコ商品

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低いターンオフ損失が低いショートテール電流低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

仕様最大連続コレクタ電流 = 45 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 187 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.13 x 5.21 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃pF RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(2個)

￥1,398 税込￥1,538

7日以内出荷

IKP15N65F5XKSA1 Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 30 A， 3-Pin TO-220 シングル INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル IGBT 650 V 30 A， 3-Pin TO-220 シングル

エコ商品

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低いターンオフ損失が低いショートテール電流低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

仕様最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 105 Wパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 10.36 x 4.57 x 15.95mm動作温度 Min = -40 ℃pF RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥2,398 税込￥2,638

7日以内出荷

IKW75N60TFKSA1 Infineon IGBT 600 V 80 A， 3-Pin TO-247 シングル INFINEON

INFINEONInfineon IGBT 600 V 80 A， 3-Pin TO-247 シングル

エコ商品

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低いターンオフ損失が低いショートテール電流低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃

仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 428 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(30個)

￥25,980 税込￥28,578

7日以内出荷

BFP720H6327XTSA1 Infineon RFトランジスタ，高周波， NPN，表面実装， 25 mA， BFP720H6327XTSA1 INFINEON

INFINEONInfineon RFトランジスタ，高周波， NPN，表面実装， 25 mA， BFP720H6327XTSA1

エコ商品

SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 25 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 13 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 1.2 Vピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応