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仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
￥64,980
税込￥71,478
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,498
税込￥2,748
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET。Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。AEC-Q101適合(データシートを参照してください)・無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P、最大連続ドレイン電流 = 80 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V、シリーズ = SIPMOSR、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 3、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 4V、最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V、最大パワー消費 = 340 W、トランジスタ構成 = シングル、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V、動作温度 Max = +175 ℃mm、高さ = 4.57mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥299,800
税込￥329,780
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(250個)
￥2,998
税込￥3,298
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm順方向ダイオード電圧 = 1.7V
1袋(10個)
￥2,298
税込￥2,528
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 430 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥949
税込￥1,044
7日以内出荷
仕様Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
￥49,980
税込￥54,978
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：10.8 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥2,498
税込￥2,748
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