PSoC ファミリは、多くのプログラマブルシステムオンチップコントローラデバイスで構成されています。これらのデバイスは、複数の従来の MCU ベースのシステムコンポーネントを、低コストのシングルチッププログラマブルコンポーネントに置き換えるように設計されています。PSoC デバイスには、アナログ / デジタルロジックの構成可能なブロックとプログラマブルインターコネクトが組み込まれています。このアーキテクチャにより、個々のアプリケーションの要件に合わせて、カスタマイズされたペリフェラル設定を作成できます。また、高速 CPU 、フラッシュプログラムメモリ、 SRAM データメモリ、及び構成可能な I/O が、便利なピン配列に用意されています。
仕様ファミリー名 = CY8C21223パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 16データバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 4 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 256 BPWMユニット数 = 2 x 8/16 bitSPIチャンネル数 = 1I2Cチャンネル数 = 1ADC数 = 8 x 10ビットmm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(48個)
¥19,980
税込¥21,978
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XMC4500 32ビット産業用マイクロコントローラ、Infineon. DAVE ;sup>TM ;/sup> 3 ソフトウェアは、XMC4000シリーズでハードウェアの機能を利用するソフトウェアを開発するのに役立つ無料のツールチェーンです。 このDAVEツールには、既存のDAVEツールのあらゆる機能と、IDE、コンパイラ、デバッガ、低レベルコード生成の機能が組み込まれています。 このツールは使いやすく、組み込みコードはDAVEアプリと呼ばれています。DAVEアプリは、Webからダウンロードして構成することができます。 自由なアプリケーションコード設計により、評価から生産(E2P)までの用途に応じたアプリを必要な数だけ追加することができます。 www.infineon.com/DAVEからDAVE ;sup>TM ;/sup>を無料でダウンロード. ARM ;sup>R ;/sup> Cortex-M4、120 MHz (シングルサイクルDSP MAC及び浮動少数点ユニット(FPU)搭載) 1 MB組み込みフラッシュ(ハードウェアECC内蔵) 160 Kb SRAM (XMC4504 128 Kb) 12チャンネルDMA IEEE1588準拠イーサネットMAC USB 2.0フルスピードOn-the-Go 充実したセット内容: 各種タイマ、PWM、デルタ-シグマ復調器、一インターフェイス 最大26チャンネルを備えた12ビットADCカーネル x 4、12ビットDAC x 2 多機能シリアルインターフェイスモジュール x 6 (SPI、I2C、I2S、UARTに構成可能) CANノード x 3 外付けバスインターフェイス。SDRAM、SRAM、NOR- / NAND-Flash及びメモリマップI / O装置(LCD)をサポート SD / MMCインターフェイス タッチインターフェイス及びLEDマトリックス バッテリバックアップ式リアルタイムクロック(カレンダー機能及びタイムベース又は外部ウェイクアップ機能を搭載)
仕様ファミリー名 = XMC4000パッケージタイプ = LQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 100デバイスコア = ARM Cortex M4データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 1.024 MB最大周波数 = 120MHzRAMサイズ = 160 kBUSBチャンネル = 1標準動作供給電圧 = 1.3 V、3.3 V最大イーサネットチャンネル数 = 1mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥2,498
税込¥2,748
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強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz M8C プロセッサ速度 高速で低電力 動作電圧: 3.0 5.25 車載温度範囲: -40 C +85 C Advanced Peripherals PSoC ブロック アナログタイプ PSoC ブロック 個には、次の特長があります。 デジタル アナログコンバータ( DAC )搭載のコンパレータ 2 参照 最大 10 ビットシングル デュアル、 24 チャンネルのアナログ デジタル コンバータ( ADC 4 つのデジタル PSoC ブロックの特長: → 32 ビットのタイマ、カウンタ、及びパルス幅変調器 PWM 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダム シーケンス( PRS )モジュール 全二重又は半二重 UART SPI Master 又はスレーブです すべての汎用 I/O GPIO )ピンに接続可能です ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 静電容量センシング用途に対応 柔軟性の高いオンチップメモリ KB のフラッシュプログラムストレージ 512 バイト SRAM データ格納 インシステムシリアルプログラミング( ISSP 部分的なフラッシュアップデート 柔軟な保護モード フラッシュでの EEPROM エミュレーション 開発ツール一式 無料の開発ソフトウェア( PSoC Designer ) 多機能のインサーキットエミュレータ( ICE )とプログラマ フルスピードエミュレーション 複雑なブレークポイント構造 128 KB のトレースメモリ 精密でプログラム可能なクロック周波数 5 24 MHz の発振器を内蔵 ウォッチドッグ及び用の低速、低消費電力の発振器を内蔵しています スリープ機能 オプションの外部発振器、最大 24 MHz プログラム可能なピン構成 すべての GPIO 25 mA シンク、 10 mA ドライブ プルアップ、プルダウン、高 、強、オープンドレイン駆動モード すべての GPIO すべての GPIO にアナログ入力を備えています すべての GPIO で設定可能な割り込み 多用途のアナログマルチプレクサ 共通内部アナログバス I/O の組み合わせの同時接続 その他のシステムリソース 内部集積回路( 2c )マスター、スレーブ、またはマルチマスター 最大動作周波数: 400 kHz ウォッチドッグタイマ及びスリープタイマです ユーザー設定可能な低電圧検出( LVD 監視回路を内蔵 オンチップ高精度基準電圧
仕様ファミリー名 = M8Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 16デバイスコア = PSoCデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 512 BPWMユニット数 = 2 x 8/32 bitSPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1動作温度 Max = +85 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(48個)
¥28,980
税込¥31,878
5日以内出荷
強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz M8C プロセッサ速度 高速で低電力 動作電圧: 3.0 5.25 車載温度範囲: -40 C +85 C Advanced Peripherals PSoC ブロック アナログタイプ PSoC ブロック 個には、次の特長があります。 デジタル アナログコンバータ( DAC )搭載のコンパレータ 2 参照 最大 10 ビットシングル デュアル、 24 チャンネルのアナログ デジタル コンバータ( ADC 4 つのデジタル PSoC ブロックの特長: → 32 ビットのタイマ、カウンタ、及びパルス幅変調器 PWM 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダム シーケンス( PRS )モジュール 全二重又は半二重 UART SPI Master 又はスレーブです すべての汎用 I/O GPIO )ピンに接続可能です ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 静電容量センシング用途に対応 柔軟性の高いオンチップメモリ KB のフラッシュプログラムストレージ 512 バイト SRAM データ格納 インシステムシリアルプログラミング( ISSP 部分的なフラッシュアップデート 柔軟な保護モード フラッシュでの EEPROM エミュレーション 開発ツール一式 無料の開発ソフトウェア( PSoC Designer ) 多機能のインサーキットエミュレータ( ICE )とプログラマ フルスピードエミュレーション 複雑なブレークポイント構造 128 KB のトレースメモリ 精密でプログラム可能なクロック周波数 5 24 MHz の発振器を内蔵 ウォッチドッグ及び用の低速、低消費電力の発振器を内蔵しています スリープ機能 オプションの外部発振器、最大 24 MHz プログラム可能なピン構成 すべての GPIO 25 mA シンク、 10 mA ドライブ プルアップ、プルダウン、高 、強、オープンドレイン駆動モード すべての GPIO すべての GPIO にアナログ入力を備えています すべての GPIO で設定可能な割り込み 多用途のアナログマルチプレクサ 共通内部アナログバス I/O の組み合わせの同時接続 その他のシステムリソース 内部集積回路( 2c )マスター、スレーブ、またはマルチマスター 最大動作周波数: 400 kHz ウォッチドッグタイマ及びスリープタイマです ユーザー設定可能な低電圧検出( LVD 監視回路を内蔵 オンチップ高精度基準電圧
仕様ファミリー名 = M8Cパッケージタイプ = SSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 20デバイスコア = PSoCデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 512 BPWMユニット数 = 2 x 8/32 bitSPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1高さ = 1.85mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(3個)
¥2,998
税込¥3,298
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Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲
仕様ファミリー名 = CY8C58LPパッケージタイプ = QFN実装タイプ = 表面実装ピン数 = 68デバイスコア = ARM Cortex-M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 256 kB最大周波数 = 67MHzRAMサイズ = 64 kBUSBチャンネル = 1I2Cチャンネル数 = 1高さ = 0.95mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(260個)
¥799,800
税込¥879,780
5日以内出荷
Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲
仕様ファミリー名 = CY8C52LPパッケージタイプ = QFN実装タイプ = 表面実装ピン数 = 68デバイスコア = ARM Cortex M3データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 256 kB最大周波数 = 80MHzRAMサイズ = 64 kBUSBチャンネル = 1SPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1高さ = 0.95mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(260個)
¥349,800
税込¥384,780
5日以内出荷
強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大24 MHzのM8Cプロセッサ速度 2つの8 x 8乗算回路、32ビット累算 高速で低電力 動作電圧: 3.0 → 5.25 V オンチップのスイッチモードポンプ(SMP)を使用して、動作電圧を1.0 Vまで下げることが可能 産業用温度定格: -40 → +85 ℃ Advanced Peripherals ( PSoC R ブロック レールツーレールアナログ PSoC ブロック x 12 の特長: 最大 14 ビットのアナログ - デジタルコンバータ( ADC ) 最大 9 ビット D/A コンバータ( DAC ) プログラマブルゲインアンプ( PGA ) プログラマブルフィルタ及びコンパレータ 16 個のデジタル PSoC ブロックの特長: 8 → 32 ビットタイマ及びカウンタ、 8 及び 16 ビットパルス幅変調器( PWM ) 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダムシーケンス( PRS )モジュール 最大 4 個の全二重ユニバーサル非同期レシーバトランスミッタ( UART ) 複数のシリアルペリフェラルインターフェース( SPI )マスタ又はスレーブ すべての汎用 I/O ( GPIO )ピンに接続できます ブロックを組み合わせることで、複雑な周辺機器を作成できます 精密でプログラム可能なクロック周波数 内部 ± 5 % ( 1 ) 24 / 48 MHz メイン発振器 24 / 48 MHz 、オプションの 32.768 kHz 水晶が付属しています オプションの外部発振器、最大 24 MHz ウォッチドッグ及びスリープ用の内部発振器です 柔軟性の高いオンチップメモリ 32 KB のフラッシュプログラムストレージ、 50 、 000 回の消去 / 書き込みサイクル 2 KB の静的ランダムアクセスメモリ( SRAM )データストレージ
仕様ファミリー名 = CY8C29パッケージタイプ = SSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 28デバイスコア = CPUデータバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 32 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 2 kBUSBチャンネル = 1SPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1動作温度 Max = +85 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(47個)
¥79,980
税込¥87,978
取扱い終了
CY8CKIT-050 PSoC 5LP開発キット、Cypress. CY8CKIT-050 PSoC 5LP開発キットを使用すれば、高精度アナログ、低消費電力、低電圧のアプリケーションの評価、開発、プロトタイプ作成が可能になります。Cypress製のCY8C58LPは、高精度で広帯域の信号アクイジション、処理、制御向けのマイクロコントローラ、メモリ、アナログ / デジタル機能を備えています。PSoC 5LP開発キットは、優れたアナログ性能を発揮するように設計されており、ノイズレベルが低くなっています。PSoC 5LP 32ビットARM Cortex-M3プログラマブルシステムオンチップの低消費電力での動作もデモンストレーションします。CY8CKIT-050キットはオンボードのプログラマ / デバッガを搭載していますが、Miniprog3を使用したプログラムとデバッグも可能です。キットの内容. PSoC 5LP開発ボード 文字液晶ディスプレイ(LCD)モジュール @ 3.3 V USB標準タイプA-Mini Bケーブル キットDVD クイックスタートガイド
仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex-M3プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C58LPプロセッサ種類 = MCU
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥17,980
税込¥19,778
5日以内出荷
Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラアプリケーション = 自動車, 静電容量方式, コントローラ, 組み込み, フラッシュ, LCD, LED, USBテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFPピン数 = 100寸法 = 14 x 14 x 1.4mm高さ = 1.4mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.71 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 14mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
¥139,800
税込¥153,780
5日以内出荷
PSoC 3 (8051コア)、Cypress. PSoC 3 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリは、設定可能なアナログ / デジタルロジックブロックを備えた8051コアマイクロコントローラデバイスとプログラム可能なインターコネクトで構成されています。 また、フラッシュプログラムメモリ、SRAMデータメモリ、及び設定可能なI/Oも含まれています。
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TQFPピン数 = 100寸法 = 14 x 14 x 1.4mm高さ = 1.4mm長さ = 14mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.71 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 14mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥2,998
税込¥3,298
5日以内出荷
Cypress PSoC 1 ( M8C コア). PSoC 1 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリは、M8C-core マイクロコントローラと設定可能なアナログとデジタル ロジックのブロックとともに、プログラム可能な相互接続を備えています。さらに、フラッシュプログラムメモリ、SRAMデータメモリ、設定可能なI/Oを搭載しています。
仕様プロセッシングユニット = マイクロコントローラテクノロジー = CMOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 28寸法 = 10.4 x 5.6 x 1.85mm高さ = 1.85mm長さ = 10.4mm動作供給電圧 Max = 5.25 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 3 V動作温度 Min = -40 ℃幅 = 5.6mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥3,698
税込¥4,068
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ:4Mbit●構成:512 K x 8ビット●インターフェースタイプ:パラレル●データバス幅:8bit●最大ランダムアクセス時間:45ns●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSOP●ピン数:44●寸法:18.51 x 10.26 x 1.04mm●長さ:18.51mm●幅:10.26mm●高さ:1.04mm●動作供給電圧 Max:3.6 V●動作温度 Max:+85 ℃●ワード数:512Kbit●Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥6,598
税込¥7,258
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 18ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作供給電圧 Min: 2 Vbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥169,800
税込¥186,780
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 4kbit●構成: 512×8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,298
税込¥1,428
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 512kbit●構成: 64 K x 8ビット●インターフェースタイプ: I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 450ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 64kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥179,800
税込¥197,780
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 256kbit●構成: 32 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥97,980
税込¥107,778
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 256kbit●構成: 32 K x 8ビット●インターフェースタイプ: I2C●データバス幅: 8bit●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 14●寸法: 8.73×3.98×1.48mm●動作供給電圧 Max: 5.5 V●動作温度 Max: +85 ℃●1ワード当たりのビット数: 8bit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(56個)
¥119,800
税込¥131,780
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作温度 Min: -40 ℃bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥949
税込¥1,044
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: SPI●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 20ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 3.65 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 550ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 5.5 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥47,980
税込¥52,778
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 4kbit●構成: 512×8●インターフェースタイプ: シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥26,980
税込¥29,678
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8K x 8●インターフェースタイプ: シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(81個)
¥47,980
税込¥52,778
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,198
税込¥2,418
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 550ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 3.65 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥699
税込¥769
翌々日出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2K x 8●インターフェースタイプ: シリアル-SPI●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥23,980
税込¥26,378
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 14●寸法: 8.73×3.98×1.48mm●長さ: 8.73mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 8Kbit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,398
税込¥1,538
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仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
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非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm
RoHS指令(10物質対応)対応
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥59,980
税込¥65,978
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥47,980
税込¥52,778
5日以内出荷
F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(56個)
¥69,980
税込¥76,978
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥26,980
税込¥29,678
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥2,898
税込¥3,188
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8K x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(81個)
¥44,980
税込¥49,478
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,298
税込¥2,528
5日以内出荷
F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 8.73mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8Kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64K x 8インターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥4,398,000
税込¥4,837,800
5日以内出荷
Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,898
税込¥2,088
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
¥18,980
税込¥20,878
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