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Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 ビット， 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXIINFINEON

￥1,198税込￥1,318

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ： 2Mbit●構成： 128 K x 16 ビット●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー：あり●タイミングタイプ：非シンクロナス●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： VFBGA●ピン数： 48●寸法： 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max： 3.6 Vmm●幅： 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon， SRAM 2Mbit， 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXIINFINEON

￥599税込￥659

1個

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ： 2Mbit●構成： 128K x 16●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 16bitRoHS指令(10物質対応)対応

Cypress Semiconductor， CY62136FV30LL-45ZINFINEON

￥2,798税込￥3,078

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●メモリサイズ： 2Mbit●構成： 128k x 16●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 45nsRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 インチ CY7C1011DV33-10BVXIINFINEON

￥349,800税込￥384,780

1セット(480個)

5日以内出荷

Cypress Semiconductor CY7C1011DV33 は、 128 K ワード x 16 ビットに構成された高性能 CMOS 静的 RAM です。鉛フリーの標準 44 ピン TSOP II で提供され、センターパワーおよびアースピンアウト、 48 ボール超ファインピッチボールグリッドアレイ (VFBGA) パッケージを備えています。通常、高速は 10 ns です低スタンバイ電力選択解除時に自動的に電源がオフになります TTL互換の入出力

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 インチワード数 = 128K1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon， SRAM 2Mbit， 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXIINFINEON

￥599税込￥659

1個

5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128K x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bitRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 ビット， 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXIINFINEON

￥1,198税込￥1,318

1袋(2個)

5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

Cypress Semiconductor， CY62136FV30LL-45ZINFINEON

￥2,798税込￥3,078

1袋(5個)

5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128k x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応

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