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Infineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-G INFINEONInfineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-GINFINEON
1,298税込1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ, 16kbit, DFN, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-DG INFINEONInfineon FRAMメモリ, 16kbit, DFN, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-DGINFINEON
1,898税込2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-SPI, FM25C160B-G INFINEONInfineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-SPI, FM25C160B-GINFINEON
24,980税込27,478
1セット(97個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2K x 8●インターフェースタイプ: シリアル-SPI●データバス幅: 8bit●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXIINFINEON
1,198税込1,318
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128 K x 16 ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: VFBGA●ピン数: 48●寸法: 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max: 3.6 Vmm●幅: 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXIINFINEON
599税込659
1個
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128K x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45Z INFINEONCypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45ZINFINEON
2,798税込3,078
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128k x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 インチ CY7C1011DV33-10BVXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 インチ CY7C1011DV33-10BVXIINFINEON
349,800税込384,780
1セット(480個)
5日以内出荷
Cypress Semiconductor CY7C1011DV33 は、 128 K ワード x 16 ビットに構成された高性能 CMOS 静的 RAM です。鉛フリーの標準 44 ピン TSOP II で提供され、センターパワーおよびアースピンアウト、 48 ボール超ファインピッチボールグリッドアレイ (VFBGA) パッケージを備えています。通常、高速は 10 ns です 低スタンバイ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります TTL互換の入出力
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 インチワード数 = 128K1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXIINFINEON
599税込659
1個
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128K x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXIINFINEON
1,198税込1,318
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仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ, 16kbit, DFN, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-DG INFINEONInfineon FRAMメモリ, 16kbit, DFN, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-DGINFINEON
1,898税込2,088
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-SPI, FM25C160B-G INFINEONInfineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-SPI, FM25C160B-GINFINEON
24,980税込27,478
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仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2K x 8インターフェースタイプ = シリアル-SPIデータバス幅 = 8bitパッケージタイプ = SOICピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-G INFINEONInfineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-GINFINEON
1,198税込1,318
1袋(5個)
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 2KbitRoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45Z INFINEONCypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45ZINFINEON
2,798税込3,078
1袋(5個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128k x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
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