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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = OptiMOS実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃Infineon OptiMOS小信号MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
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Infineon OptiMOSデュアルパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 60 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 4 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.5V最低ゲートしきい値電圧 1.5V最大パワー消費 500 mWトランジスタ構成 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 2mm動作温度 Min -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(500個)
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