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Infineon CoolMOS-CPパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 23 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 550 Vシリーズ = CoolMOS CP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大パワー消費 = 34 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 48 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥659
税込￥725
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 210 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥109
税込￥120
5日以内出荷
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