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RoHS
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 1.7 A、2.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = MSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ， 270 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 1250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 5.3 nC @ 4.5 V、5.4 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥129
税込￥142
5日以内出荷
仕様USBインターフェースIC・USBコントローラ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥2,698
税込￥2,968
5日以内出荷
CY8CKIT-030 PSoC 3開発キット、Cypress. CY8CKIT-030 PSoC 3開発キットにより、PSoC Creator又はPSoC Programmerソフトウェアを搭載したPSoC 3を使用して、高精度のアナログ設計や低消費電力設計の開発 / 評価を行うことができます。PSoC 3は、8ビット / 16ビットアプリケーション用のプログラマブルシステムオンチッププラットフォームです。このキットは、オンボードプログラマ / デバッガを備えているため、Miniprog3を接続しなくてもPSoC 3をプログラムすることができます。キットの内容. PSoC 3開発ボード LCD文字ディスプレイ USB標準タイプA-Mini-Bケーブル クイックスタートガイド キットCD: PSoC Creator、PSoC Programmer、プロジェクト、及びマニュアルを収録
仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCプロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C3866AXI-040プロセッサ種類 = MCU
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥18,980
税込￥20,878
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 43 Aシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型トランジスタ素材 = Si
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(400個)
￥89,980
税込￥98,978
7日以内出荷
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N， P、最大連続ドレイン電流 = 3 A、4 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V、シリーズ = HEXFET、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 8、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ， 160 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 1V、最低ゲートしきい値電圧 = 1V、最大パワー消費 = 1.4 W、トランジスタ構成 = 絶縁型、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V、動作温度 Max = +150 ℃mm、高さ = 1.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥189,800
税込￥208,780
7日以内出荷
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 2.3 A、3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ， 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
￥149,800
税込￥164,780
7日以内出荷
デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ， 98 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 2mm高さ = 1.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥3,298
税込￥3,628
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,398
税込￥1,538
翌々日出荷
デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4.9V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 100 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198
税込￥1,318
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥469
税込￥516
翌々日出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥2,798
税込￥3,078
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥639
税込￥703
翌々日出荷
EiceDRIVER絶縁型MOSFET / IGBTゲートドライバ。入出力間の絶縁電圧: 幅広い入力動作範囲 個別のソース / シンク出力 用途: ACモータ / ブラシレスDCモータドライブ
仕様ロジックタイプ = CMOS、出力電流 = -9.4 A、10 A、供給電圧 = 17V、ピン数 = 8、パッケージタイプ = DSOns、出力数 = 2、上昇時間 = 20ns、トポロジー = ガルバニック絶縁、高/低サイド依存性 = 独立、ドライバ数 = 2、極性 = 反転， 非反転、実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
￥379,800
税込￥417,780
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥589
税込￥648
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥929
税込￥1,022
翌々日出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,798
税込￥1,978
翌々日出荷
仕様●USBインターフェースIC・USBコントローラ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥2,698
税込￥2,968
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 240 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 7最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥739
税込￥813
翌々日出荷
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大連続 順方向電流 = 3Aピーク逆繰返し電圧 = 10Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = ショットキーダイオードダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = ショットキーバリアピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5Aショットキーバリアダイオード、Infineon
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥949
税込￥1,044
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 185 Aパッケージタイプ = TO-220
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
仕様●出力電流：4A●入力電圧：20 V●パッケージタイプ：VDSON-8●ピン数：8
アズワン品番65-7234-63
1個
￥239
税込￥263
7日以内出荷
仕様オーディオアンプ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥2,698
税込￥2,968
7日以内出荷
PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 38 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,598
税込￥2,858
翌々日出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 100 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 333 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥19,980
税込￥21,978
7日以内出荷
仕様ロジックタイプ = CMOS， LSTTL出力電流 = 4 A供給電圧 = 6.8 → 20Vピン数 = 8降下時間 = 18ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥999
税込￥1,099
7日以内出荷
仕様ロジックタイプ = CMOS， LSTTL出力電流 = 1.9 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = 8 Lead SOICns
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(95個)
￥24,980
税込￥27,478
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 540 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 2.6 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥399
税込￥439
5日以内出荷
仕様出力電流 = 4 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC8Nns
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 155 Aパッケージタイプ = PG-HSOF-8
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥869
税込￥956
7日以内出荷
Infineon CoolMOS CFDパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 43.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) CFD実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 80 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 391 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 0.9V
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
Infineon CoolMOS-C6 / C7パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 83 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) C6実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 37 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.5V最低ゲートしきい値電圧 2.5V最大パワー消費 500 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V1チップ当たりのエレメント数 1mm順方向ダイオード電圧 0.85V
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 428 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥22,980
税込￥25,278
7日以内出荷
仕様ロジックタイプ = CMOS出力電流 = 3 A供給電圧 = 20Vピン数 = 24パッケージタイプ = 24リードSSOPnsドライバ数 = 2
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
￥35,980
税込￥39,578
7日以内出荷
仕様最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 700 Vパッケージタイプ = PG-TO 220実装タイプ = 表面実装
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥679
税込￥747
7日以内出荷
Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 47 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 415 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 252 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ET
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,498
税込￥1,648
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インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 170 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥189
税込￥208
5日以内出荷
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