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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 43 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 43 Aシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型トランジスタ素材 = Si RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(400個)
98,980 税込108,878
7日以内出荷

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N, P、最大連続ドレイン電流 = 3 A、4 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V、シリーズ = HEXFET、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 8、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ, 160 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 1V、最低ゲートしきい値電圧 = 1V、最大パワー消費 = 1.4 W、トランジスタ構成 = 絶縁型、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V、動作温度 Max = +150 ℃mm、高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
199,800 税込219,780
7日以内出荷

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 2.3 A、3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩ, 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
179,800 税込197,780
7日以内出荷

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ, 98 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 2mm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,898 税込3,188
7日以内出荷

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。
仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 1.7 A、2.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = MSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ, 270 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.7V最低ゲートしきい値電圧 = 0.7V最大パワー消費 = 1250 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 5.3 nC @ 4.5 V、5.4 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
129 税込142
5日以内出荷

EiceDRIVER絶縁型MOSFET / IGBTゲートドライバ。入出力間の絶縁電圧: 幅広い入力動作範囲 個別のソース / シンク出力 用途: ACモータ / ブラシレスDCモータドライブ
仕様ロジックタイプ = CMOS、出力電流 = -9.4 A、10 A、供給電圧 = 17V、ピン数 = 8、パッケージタイプ = DSOns、出力数 = 2、上昇時間 = 20ns、トポロジー = ガルバニック絶縁、高/低サイド依存性 = 独立、ドライバ数 = 2、極性 = 反転, 非反転、実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
369,800 税込406,780
7日以内出荷

INFINEONInfineon CY7C68013A-56BAXC
エコ商品
仕様USBインターフェースIC・USBコントローラ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,198 税込2,418
5日以内出荷

INFINEONInfineon CY7C68013A-56BAXC
エコ商品
仕様●USBインターフェースIC・USBコントローラ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,198 税込2,418
7日以内出荷

仕様●分類: 開発 ボード●テクノロジー: PSoC●プロセッサファミリ名: PSoC●プロセッサ品番: CY8C3866AXI-040●プロセッサ種類: MCU●CY8CKIT-030 PSoC 3開発キット、Cypress. CY8CKIT-030 PSoC 3開発キットにより、PSoC Creator又はPSoC Programmerソフトウェアを搭載したPSoC 3を使用して、高精度のアナログ設計や低消費電力設計の開発 / 評価を行うことができます。 PSoC 3は、8ビット / 16ビットアプリケーション用のプログラマブルシステムオンチッププラットフォームです。 このキットは、オンボードプログラマ / デバッガを備えているため、Miniprog3を接続しなくてもPSoC 3をプログラムすることができます。. キットの内容. PSoC 3開発ボード LCD文字ディスプレイ USB標準タイプA-Mini-Bケーブル クイックスタートガイド キットCD: PSoC Creator、PSoC Programmer、プロジェクト、及びマニュアルを収録 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
17,980 税込19,778
7日以内出荷

CY8CKIT-030 PSoC 3開発キット、Cypress. CY8CKIT-030 PSoC 3開発キットにより、PSoC Creator又はPSoC Programmerソフトウェアを搭載したPSoC 3を使用して、高精度のアナログ設計や低消費電力設計の開発 / 評価を行うことができます。PSoC 3は、8ビット / 16ビットアプリケーション用のプログラマブルシステムオンチッププラットフォームです。このキットは、オンボードプログラマ / デバッガを備えているため、Miniprog3を接続しなくてもPSoC 3をプログラムすることができます。キットの内容. PSoC 3開発ボード LCD文字ディスプレイ USB標準タイプA-Mini-Bケーブル クイックスタートガイド キットCD: PSoC Creator、PSoC Programmer、プロジェクト、及びマニュアルを収録
仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCプロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C3866AXI-040プロセッサ種類 = MCU RoHS指令(10物質対応)対応
1個
17,980 税込19,778
5日以内出荷

1袋(20個)ほか
3,298 税込3,628
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,798 税込1,978
7日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流 = 141 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 543 Wパッケージタイプ = TO-247AC RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 185 Aパッケージタイプ = TO-220 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様●出力電流:4A●入力電圧:20 V●パッケージタイプ:VDSON-8●ピン数:8 アズワン品番65-7234-63
1個
319 税込351
7日以内出荷

1袋(10個)
3,598 税込3,958
7日以内出荷

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 100 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 333 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
21,980 税込24,178
7日以内出荷

仕様ロジックタイプ = CMOS, LSTTL出力電流 = 4 A供給電圧 = 6.8 → 20Vピン数 = 8降下時間 = 18ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

仕様ロジックタイプ = CMOS, LSTTL出力電流 = 1.9 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = 8 Lead SOICns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(95個)
23,980 税込26,378
7日以内出荷

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、1100 1600 V. Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStopテクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 超低VCEsat 低ターンオフ損失 短テール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 75 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 270 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.13 x 21.1 x 5.21mm動作温度 Max = +150 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
19,980 税込21,978
7日以内出荷

仕様出力電流 = 4 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC8Nns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,598 税込2,858
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 155 Aパッケージタイプ = PG-HSOF-8 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,498 税込1,648
7日以内出荷

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 428 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.03 x 21.1 x 5.16mm動作温度 Min = -40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
25,980 税込28,578
7日以内出荷

仕様ロジックタイプ = CMOS出力電流 = 3 A供給電圧 = 20Vピン数 = 24パッケージタイプ = 24リードSSOPnsドライバ数 = 2 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
38,980 税込42,878
7日以内出荷

仕様最大連続ドレイン電流 = 24 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 700 Vパッケージタイプ = PG-TO 220実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
929 税込1,022
7日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流 = 74 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20 V, ±30 V最大パワー消費 = 250 Wパッケージタイプ = PG-TO220-3ピン数 = 3 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,498 税込2,748
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = PQFN実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
689 税込758
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 136 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = PG-TDSON実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2000個)
149,800 税込164,780
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = DPAK実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PQFN実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
859 税込945
7日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1350 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20 V, ±25 V最大パワー消費 = 310 Wパッケージタイプ = PG-TO247-3ピン数 = 3 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
3,398 税込3,738
7日以内出荷

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 105 Wパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 10.36 x 4.57 x 15.95mm動作温度 Min = -40 ℃pF RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
7日以内出荷

Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 45 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 187 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.13 x 5.21 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃pF RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 95 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
3,298 税込3,628
欠品中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SO-8実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
7日以内出荷

1セット(50個)
8,498 税込9,348
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

仕様最大連続ドレイン電流 = 24.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 Vパッケージタイプ = PG-TO220-3-1実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
23,980 税込26,378
7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SO-8実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷