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Infineon CoolMOS-C6 / C7パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 83 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) C6実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 37 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.5V最低ゲートしきい値電圧 2.5V最大パワー消費 500 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V1チップ当たりのエレメント数 1mm順方向ダイオード電圧 0.85V
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥2,598
税込￥2,858
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 171 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 517 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 134 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 280 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 120 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 79 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥899
税込￥989
7日以内出荷
Infineon OptiMOS2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 950 mA最大ドレイン-ソース間電圧 20 Vシリーズ OptiMOS(TM) 2実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 600 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 1.2V最低ゲートしきい値電圧 0.7V最大パワー消費 500 mWトランジスタ構成 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 -12 V， +12 V幅 1.25mm高さ 0.8mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥48,980
税込￥53,878
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 140 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = LogicFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 140 nC @ 4.5 V高さ = 8.77mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥389
税込￥428
5日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 6 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.2V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 79 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 66 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.75mm動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥3,198
税込￥3,518
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 29 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
￥2,998
税込￥3,298
7日以内出荷
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 1.75mm高さ = 1.3mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥65,980
税込￥72,578
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 38 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ CoolMOS(TM) C6実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 99 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.5V最低ゲートしきい値電圧 2.5V最大パワー消費 278 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 5.21mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C6 C7パワーMOS(TM)ET
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
￥22,980
税込￥25,278
7日以内出荷
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