"et3" INFINEON 【通販モノタロウ】

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SI4435DYTRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 8 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET30 V 8 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピン

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = Si4435DYPbF実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = 20 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.5mm

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IRLML6344TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.02mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥51,980 税込￥57,178

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IRLML0030TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 5.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 5.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥39,980 税込￥43,978

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BSS315PH6327XTSA1 Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 150 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥339 税込￥373

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IRF9358TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 9.2 A スルーホールパッケージSO-8 INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 9.2 A スルーホールパッケージSO-8

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SO-8実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応

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IRLB8721PBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 62 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 62 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

エコ商品

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 65 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.67mm高さ = 9.02mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥5,998 税込￥6,598

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IRF7832TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 20 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.32V最低ゲートしきい値電圧 = 1.39V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥319,800 税込￥351,780

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IRLML5203TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET30 V 3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.25 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥52,980 税込￥58,278

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BSC052N03LSATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 28 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm

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￥3,598 税込￥3,958

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IRF7831TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 21 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 21 A 表面実装パッケージSO-8 8 ピン

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0036 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35Vトランジスタ素材 = Si RoHS指令(10物質対応)対応

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￥3,398 税込￥3,738

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IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 70 A 表面実装パッケージPG- TDSON-8 INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 70 A 表面実装パッケージPG- TDSON-8

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Infineon OptiMOS T2パワーMOSFET. Infineonの新しいOptiMOS-T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。この新しいOptiMOS-T2製品ファミリは、既存のOptiMOS-T及びOptiMOSの拡張ファミリです。OptiMOS製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。Nチャンネル強化モード AEC認定 MSL1、最大260 ℃ピークのリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(RoHS対応)

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PG- TDSON-8実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥149,800 税込￥164,780

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IRFTS8342TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 8.2 A 表面実装パッケージTSOP-6 6 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 8.2 A 表面実装パッケージTSOP-6 6 ピン

エコ商品

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 29 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥2,998 税込￥3,298

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IRLML9303TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大パワー消費 = 1.25 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥35,980 税込￥39,578

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IRF7316TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 98 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥2,798 税込￥3,078

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IRF9335TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 5.4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET30 V 5.4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大パワー消費 = 2.5 W最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥2,298 税込￥2,528

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IPP042N03LGXKSA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 70 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 70 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン

エコ商品

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 6 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.2V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 79 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃V RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,998 税込￥2,198

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IRFTS9342TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 5.8 A 表面実装パッケージTSOP-6 6 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET30 V 5.8 A 表面実装パッケージTSOP-6 6 ピン

エコ商品

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 66 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.75mm動作温度 Min = -55 ℃V RoHS指令(10物質対応)対応

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￥3,198 税込￥3,518

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IRLML9301TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 3.6 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET30 V 3.6 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン

エコ商品

PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 64 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mm RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(3000個)

￥52,980 税込￥58,278

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IRLMS1503TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 3.2 A 表面実装パッケージMicro6 6 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 3.2 A 表面実装パッケージMicro6 6 ピン

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 2 RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(3000個)

￥75,980 税込￥83,578

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BSC011N03LSIATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費 96 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃V

1袋(10個)

￥1,998 税込￥2,198

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BSL308CH6327XTSA1 Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装パッケージTSOP-6 6 ピン INFINEON

INFINEONInfineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装パッケージTSOP-6 6 ピン

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Infineon の OptimOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET は、同じパッケージに収められた N チャンネル及び P チャンネルパワー MOSFET です。発電(太陽光発電マイクロインバータなど)、電源(サーバーや通信など)、消費電力(電気自動車など)の高効率ソリューションです。アバランシェ定格です100 % 鉛フリーで RoHS に適合しています

仕様チャンネルタイプ N， P最大連続ドレイン電流 2.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 0.057 Ω最大ゲートしきい値電圧 2V1チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥3,998 税込￥4,398

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IRF7309TRPBF Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 3 A、4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 3 A、4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様チャンネルタイプ = N， P、最大連続ドレイン電流 = 3 A、4 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V、シリーズ = HEXFET、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 8、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ， 160 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 1V、最低ゲートしきい値電圧 = 1V、最大パワー消費 = 1.4 W、トランジスタ構成 = 絶縁型、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V、動作温度 Max = +150 ℃mm、高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(4000個)

￥199,800 税込￥219,780

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BSC030N03LSGATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 122 A 表面実装パッケージPG-TO220-3-1 INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 122 A 表面実装パッケージPG-TO220-3-1

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 122 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PG-TO220-3-1実装タイプ = 表面実装 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥449 税込￥494

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IRLB8743PBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 150 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 150 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

エコ商品

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 150 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(50個)

￥6,498 税込￥7,148

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IRL3803PBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 140 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 140 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

エコ商品

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 140 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = LogicFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 140 nC @ 4.5 V高さ = 8.77mm RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥389 税込￥428

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IRLB3813PBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン

エコ商品

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥579 税込￥637

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IRLR7843TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 161 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 161 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

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NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 161 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,998 税込￥2,198

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IRF9952TRPBF Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A、3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A、3.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 2.3 A、3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ， 400 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 6.1 nC @ 10 V、6.9 nC @ 10 Vmm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,998 税込￥2,198

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IRLHM630TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 40 A スルーホールパッケージPQFN 3.3 mm x 3.3 mm INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 40 A スルーホールパッケージPQFN 3.3 mm x 3.3 mm

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PQFN 3.3 mm x 3.3 mm実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,198 税込￥1,318

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IRFHM830TRPBF Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 21 A スルーホールパッケージPQFN 3.3 mm x 3.3 mm INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 21 A スルーホールパッケージPQFN 3.3 mm x 3.3 mm

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PQFN 3.3 mm x 3.3 mm実装タイプ = スルーホール RoHS指令(10物質対応)対応

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￥949 税込￥1,044

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IRF7319TRPBF Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A、6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 4.9 A、6.5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

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デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.9 A、6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 46 mΩ， 98 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 2mm高さ = 1.5mm RoHS指令(10物質対応)対応

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￥2,898 税込￥3,188

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SPW35N60C3FKSA1 Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン

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仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ET RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,798 税込￥1,978

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SPW20N60C3FKSA1 Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 20.7 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET650 V 20.7 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン

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仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 208 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 5.3mm高さ 20.95mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ET RoHS指令(10物質対応)対応