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Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲

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Cypress PSoC 5LP(ARM Cortex-M3 コア). Cypress Semiconductor PSoC 5LP (Programmable Embedded System-on-Chip) は、メモリおよびマイクロコントローラ(MCU)、デジタルおよびアナログの周辺機器を一つのチップに搭載しています。PSoC 5LPプラットフォームアーキテクチャは、32ビットARM Cortex-M3コアとダイレクトメモリアクセス(DMA)コントローラ、最大80MHzのデジタルフィルタプロセッサを搭載しています。. 柔軟性の高いルーテ ィ ング 幅広い電圧範囲

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

CY8CKIT-050 PSoC 5LP開発キット、Cypress. CY8CKIT-050 PSoC 5LP開発キットを使用すれば、高精度アナログ、低消費電力、低電圧のアプリケーションの評価、開発、プロトタイプ作成が可能になります。Cypress製のCY8C58LPは、高精度で広帯域の信号アクイジション、処理、制御向けのマイクロコントローラ、メモリ、アナログ / デジタル機能を備えています。PSoC 5LP開発キットは、優れたアナログ性能を発揮するように設計されており、ノイズレベルが低くなっています。PSoC 5LP 32ビットARM Cortex-M3プログラマブルシステムオンチップの低消費電力での動作もデモンストレーションします。CY8CKIT-050キットはオンボードのプログラマ / デバッガを搭載していますが、Miniprog3を使用したプログラムとデバッグも可能です。キットの内容. PSoC 5LP開発ボード 文字液晶ディスプレイ(LCD)モジュール @ 3.3 V USB標準タイプA-Mini Bケーブル キットDVD クイックスタートガイド

NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。

強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz M8C プロセッサ速度 高速で低電力 動作電圧: 3.0 5.25 車載温度範囲： -40 C +85 C Advanced Peripherals PSoC ブロック アナログタイプ PSoC ブロック 個には、次の特長があります。 デジタル アナログコンバータ( DAC )搭載のコンパレータ 2 参照 最大 10 ビットシングル デュアル、 24 チャンネルのアナログ デジタル コンバータ( ADC 4 つのデジタル PSoC ブロックの特長： → 32 ビットのタイマ、カウンタ、及びパルス幅変調器 PWM 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダム シーケンス( PRS )モジュール 全二重又は半二重 UART SPI Master 又はスレーブです すべての汎用 I/O GPIO )ピンに接続可能です ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 静電容量センシング用途に対応 柔軟性の高いオンチップメモリ KB のフラッシュプログラムストレージ 512 バイト SRAM データ格納 インシステムシリアルプログラミング( ISSP 部分的なフラッシュアップデート 柔軟な保護モード フラッシュでの EEPROM エミュレーション 開発ツール一式 無料の開発ソフトウェア( PSoC Designer ) 多機能のインサーキットエミュレータ( ICE )とプログラマ フルスピードエミュレーション 複雑なブレークポイント構造 128 KB のトレースメモリ 精密でプログラム可能なクロック周波数 5 24 MHz の発振器を内蔵 ウォッチドッグ及び用の低速、低消費電力の発振器を内蔵しています スリープ機能 オプションの外部発振器、最大 24 MHz プログラム可能なピン構成 すべての GPIO 25 mA シンク、 10 mA ドライブ プルアップ、プルダウン、高 、強、オープンドレイン駆動モード すべての GPIO すべての GPIO にアナログ入力を備えています すべての GPIO で設定可能な割り込み 多用途のアナログマルチプレクサ 共通内部アナログバス I/O の組み合わせの同時接続 その他のシステムリソース 内部集積回路( 2c )マスター、スレーブ、またはマルチマスター 最大動作周波数： 400 kHz ウォッチドッグタイマ及びスリープタイマです ユーザー設定可能な低電圧検出( LVD 監視回路を内蔵 オンチップ高精度基準電圧

強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz M8C プロセッサ速度 高速で低電力 動作電圧: 3.0 5.25 車載温度範囲： -40 C +85 C Advanced Peripherals PSoC ブロック アナログタイプ PSoC ブロック 個には、次の特長があります。 デジタル アナログコンバータ( DAC )搭載のコンパレータ 2 参照 最大 10 ビットシングル デュアル、 24 チャンネルのアナログ デジタル コンバータ( ADC 4 つのデジタル PSoC ブロックの特長： → 32 ビットのタイマ、カウンタ、及びパルス幅変調器 PWM 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダム シーケンス( PRS )モジュール 全二重又は半二重 UART SPI Master 又はスレーブです すべての汎用 I/O GPIO )ピンに接続可能です ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 静電容量センシング用途に対応 柔軟性の高いオンチップメモリ KB のフラッシュプログラムストレージ 512 バイト SRAM データ格納 インシステムシリアルプログラミング( ISSP 部分的なフラッシュアップデート 柔軟な保護モード フラッシュでの EEPROM エミュレーション 開発ツール一式 無料の開発ソフトウェア( PSoC Designer ) 多機能のインサーキットエミュレータ( ICE )とプログラマ フルスピードエミュレーション 複雑なブレークポイント構造 128 KB のトレースメモリ 精密でプログラム可能なクロック周波数 5 24 MHz の発振器を内蔵 ウォッチドッグ及び用の低速、低消費電力の発振器を内蔵しています スリープ機能 オプションの外部発振器、最大 24 MHz プログラム可能なピン構成 すべての GPIO 25 mA シンク、 10 mA ドライブ プルアップ、プルダウン、高 、強、オープンドレイン駆動モード すべての GPIO すべての GPIO にアナログ入力を備えています すべての GPIO で設定可能な割り込み 多用途のアナログマルチプレクサ 共通内部アナログバス I/O の組み合わせの同時接続 その他のシステムリソース 内部集積回路( 2c )マスター、スレーブ、またはマルチマスター 最大動作周波数： 400 kHz ウォッチドッグタイマ及びスリープタイマです ユーザー設定可能な低電圧検出( LVD 監視回路を内蔵 オンチップ高精度基準電圧

強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz の M8C プロセッサ速度 8 x 8 乗算回路、 32 ビット積算です 高速で低電力 動作電圧: 3.0 → 5.25 V オンチップのスイッチモードポンプ(SMP)を使用して、動作電圧を1.0 Vまで下げることが可能 産業用温度定格: -40 → +85 ℃ Advanced Peripherals ( PSoC R ブロック 12 個のレールツーレールアナログ PSoC ブロックの特長： 最大 14 ビットのアナログ - デジタルコンバータ( ADC ) 最大 9 ビット D/A コンバータ( DAC ) プログラマブルゲインアンプ( PGA ) プログラマブルフィルタ及びコンパレータ 8 つのデジタル PSoC ブロックの特長： 8 → 32 ビットタイマ及びカウンタ、 8 及び 16 ビットパルス幅変調器( PWM ) 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダムシーケンス( PRS )モジュール 最大 2 個の全二重ユニバーサル非同期レシーバトランスミッタ( UART ) 複数のシリアルペリフェラルインターフェース( SPI )マスタ又はスレーブ すべての汎用 I/O ( GPIO )ピンに接続できます ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 精密でプログラム可能なクロック周波数 2.5 % 24 / 48 MHz のメイン発振器を内蔵しています 24 / 48 MHz 、オプションの 32 kHz 水晶 オプションの外部発振器は最大 24 MHz ウォッチドッグ及びスリープ用の内部発振器です

Infineon CoolMOS-CPパワーMOSFET

Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET

Infineon CoolMOS CFDパワーMOSFET

Infineon CoolMOS-C6 / C7パワーMOSFET

NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ；/sub>この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。

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