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強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz M8C プロセッサ速度 高速で低電力 動作電圧: 3.0 5.25 車載温度範囲: -40 C +85 C Advanced Peripherals PSoC ブロック アナログタイプ PSoC ブロック 個には、次の特長があります。 デジタル アナログコンバータ( DAC )搭載のコンパレータ 2 参照 最大 10 ビットシングル デュアル、 24 チャンネルのアナログ デジタル コンバータ( ADC 4 つのデジタル PSoC ブロックの特長: → 32 ビットのタイマ、カウンタ、及びパルス幅変調器 PWM 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダム シーケンス( PRS )モジュール 全二重又は半二重 UART SPI Master 又はスレーブです すべての汎用 I/O GPIO )ピンに接続可能です ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 静電容量センシング用途に対応 柔軟性の高いオンチップメモリ KB のフラッシュプログラムストレージ 512 バイト SRAM データ格納 インシステムシリアルプログラミング( ISSP 部分的なフラッシュアップデート 柔軟な保護モード フラッシュでの EEPROM エミュレーション 開発ツール一式 無料の開発ソフトウェア( PSoC Designer ) 多機能のインサーキットエミュレータ( ICE )とプログラマ フルスピードエミュレーション 複雑なブレークポイント構造 128 KB のトレースメモリ 精密でプログラム可能なクロック周波数 5 24 MHz の発振器を内蔵 ウォッチドッグ及び用の低速、低消費電力の発振器を内蔵しています スリープ機能 オプションの外部発振器、最大 24 MHz プログラム可能なピン構成 すべての GPIO 25 mA シンク、 10 mA ドライブ プルアップ、プルダウン、高 、強、オープンドレイン駆動モード すべての GPIO すべての GPIO にアナログ入力を備えています すべての GPIO で設定可能な割り込み 多用途のアナログマルチプレクサ 共通内部アナログバス I/O の組み合わせの同時接続 その他のシステムリソース 内部集積回路( 2c )マスター、スレーブ、またはマルチマスター 最大動作周波数: 400 kHz ウォッチドッグタイマ及びスリープタイマです ユーザー設定可能な低電圧検出( LVD 監視回路を内蔵 オンチップ高精度基準電圧
仕様ファミリー名 = M8Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 16デバイスコア = PSoCデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 512 BPWMユニット数 = 2 x 8/32 bitSPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1動作温度 Max = +85 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(48個)
¥28,980
税込¥31,878
5日以内出荷
強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz M8C プロセッサ速度 高速で低電力 動作電圧: 3.0 5.25 車載温度範囲: -40 C +85 C Advanced Peripherals PSoC ブロック アナログタイプ PSoC ブロック 個には、次の特長があります。 デジタル アナログコンバータ( DAC )搭載のコンパレータ 2 参照 最大 10 ビットシングル デュアル、 24 チャンネルのアナログ デジタル コンバータ( ADC 4 つのデジタル PSoC ブロックの特長: → 32 ビットのタイマ、カウンタ、及びパルス幅変調器 PWM 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダム シーケンス( PRS )モジュール 全二重又は半二重 UART SPI Master 又はスレーブです すべての汎用 I/O GPIO )ピンに接続可能です ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 静電容量センシング用途に対応 柔軟性の高いオンチップメモリ KB のフラッシュプログラムストレージ 512 バイト SRAM データ格納 インシステムシリアルプログラミング( ISSP 部分的なフラッシュアップデート 柔軟な保護モード フラッシュでの EEPROM エミュレーション 開発ツール一式 無料の開発ソフトウェア( PSoC Designer ) 多機能のインサーキットエミュレータ( ICE )とプログラマ フルスピードエミュレーション 複雑なブレークポイント構造 128 KB のトレースメモリ 精密でプログラム可能なクロック周波数 5 24 MHz の発振器を内蔵 ウォッチドッグ及び用の低速、低消費電力の発振器を内蔵しています スリープ機能 オプションの外部発振器、最大 24 MHz プログラム可能なピン構成 すべての GPIO 25 mA シンク、 10 mA ドライブ プルアップ、プルダウン、高 、強、オープンドレイン駆動モード すべての GPIO すべての GPIO にアナログ入力を備えています すべての GPIO で設定可能な割り込み 多用途のアナログマルチプレクサ 共通内部アナログバス I/O の組み合わせの同時接続 その他のシステムリソース 内部集積回路( 2c )マスター、スレーブ、またはマルチマスター 最大動作周波数: 400 kHz ウォッチドッグタイマ及びスリープタイマです ユーザー設定可能な低電圧検出( LVD 監視回路を内蔵 オンチップ高精度基準電圧
仕様ファミリー名 = M8Cパッケージタイプ = SSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 20デバイスコア = PSoCデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 512 BPWMユニット数 = 2 x 8/32 bitSPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1高さ = 1.85mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(3個)
¥2,998
税込¥3,298
5日以内出荷
仕様ファミリー名 = CY8C29パッケージタイプ = SSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 28データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 32 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 2 kBUSBチャンネル = 1PWMユニット数 = 2 x 8/16 bitSPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1インストラクションセットアーキテクチャ = ハーバード
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥2,498
税込¥2,748
7日以内出荷
強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz の M8C プロセッサ速度 8 x 8 乗算回路、 32 ビット積算です 高速で低電力 動作電圧: 3.0 → 5.25 V オンチップのスイッチモードポンプ(SMP)を使用して、動作電圧を1.0 Vまで下げることが可能 産業用温度定格: -40 → +85 ℃ Advanced Peripherals ( PSoC R ブロック 12 個のレールツーレールアナログ PSoC ブロックの特長: 最大 14 ビットのアナログ - デジタルコンバータ( ADC ) 最大 9 ビット D/A コンバータ( DAC ) プログラマブルゲインアンプ( PGA ) プログラマブルフィルタ及びコンパレータ 8 つのデジタル PSoC ブロックの特長: 8 → 32 ビットタイマ及びカウンタ、 8 及び 16 ビットパルス幅変調器( PWM ) 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダムシーケンス( PRS )モジュール 最大 2 個の全二重ユニバーサル非同期レシーバトランスミッタ( UART ) 複数のシリアルペリフェラルインターフェース( SPI )マスタ又はスレーブ すべての汎用 I/O ( GPIO )ピンに接続できます ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 精密でプログラム可能なクロック周波数 2.5 % 24 / 48 MHz のメイン発振器を内蔵しています 24 / 48 MHz 、オプションの 32 kHz 水晶 オプションの外部発振器は最大 24 MHz ウォッチドッグ及びスリープ用の内部発振器です
仕様ファミリー名 = CY8C27パッケージタイプ = SSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 48デバイスコア = CPUデータバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 16 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 256 BSPIチャンネル数 = 2UARTチャンネル数 = 2高さ = 23.37mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
¥44,980
税込¥49,478
5日以内出荷
PSoC ファミリは、多くのプログラマブルシステムオンチップコントローラデバイスで構成されています。これらのデバイスは、複数の従来の MCU ベースのシステムコンポーネントを、低コストのシングルチッププログラマブルコンポーネントに置き換えるように設計されています。PSoC デバイスには、アナログ / デジタルロジックの構成可能なブロックとプログラマブルインターコネクトが組み込まれています。このアーキテクチャにより、個々のアプリケーションの要件に合わせて、カスタマイズされたペリフェラル設定を作成できます。また、高速 CPU 、フラッシュプログラムメモリ、 SRAM データメモリ、及び構成可能な I/O が、便利なピン配列に用意されています。
仕様ファミリー名 = CY8C21223パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 16データバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 4 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 256 BPWMユニット数 = 2 x 8/16 bitSPIチャンネル数 = 1I2Cチャンネル数 = 1ADC数 = 8 x 10ビットmm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(48個)
¥19,980
税込¥21,978
5日以内出荷
仕様●ファミリー名: CY8C21223●パッケージタイプ: SOIC●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 16●データバス幅: 8bit●プログラムメモリサイズ: 4 kB●最大周波数: 24MHz●RAMサイズ: 256 B●PWMユニット数: 2 x 8/16 bit●SPIチャンネル数: 1●I2Cチャンネル数: 1●長さ: 9.98mm●PSoC ファミリは、多くのプログラマブルシステムオンチップコントローラデバイスで構成されています。これらのデバイスは、複数の従来の MCU ベースのシステムコンポーネントを、低コストのシングルチッププログラマブルコンポーネントに置き換えるように設計されています。PSoC デバイスには、アナログ / デジタルロジックの構成可能なブロックとプログラマブルインターコネクトが組み込まれています。このアーキテクチャにより、個々のアプリケーションの要件に合わせて、カスタマイズされたペリフェラル設定を作成できます。また、高速 CPU 、フラッシュプログラムメモリ、 SRAM データメモリ、及び構成可能な I/O が、便利なピン配列に用意されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(48個)
¥19,980
税込¥21,978
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,098
税込¥1,208
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 2Kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥999
税込¥1,099
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,198
税込¥2,418
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,298
税込¥2,528
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 64kbit●構成: 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 550ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●動作供給電圧 Max: 3.65 Vmm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●自動車規格: AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥699
税込¥769
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥719
税込¥791
5日以内出荷
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