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仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 208 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V幅 5.3mm高さ 20.95mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ET RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ET RoHS指令(10物質対応)対応
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