仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128 K x 16 ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: VFBGA●ピン数: 48●寸法: 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max: 3.6 Vmm●幅: 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 512kbit●構成: 32k x 16●ワード数: 32k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 10ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-44●ピン数: 44●寸法: 18.51 x 10.26 x 1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥2,198
税込¥2,418
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 55ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥3,198
税込¥3,518
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Min: -40 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥2,898
税込¥3,188
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥3,198
税込¥3,518
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥2,898
税込¥3,188
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 655361ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
¥499,800
税込¥549,780
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥1,398
税込¥1,538
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 12nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.517 x 10.262 x 1.044mm高さ = 1.044mm長さ = 18.517mm非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(270個)
¥189,800
税込¥208,780
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 32k x 16ワード数 = 32k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥2,198
税込¥2,418
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128k x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥3,500
税込¥3,850
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 64Mbit構成 = 4 M x 16ワード数 = 4000k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(210個)
¥2,798,000
税込¥3,077,800
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128k x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥3,500
税込¥3,850
5日以内出荷
Cypress Semiconductor CY7C1011DV33 は、 128 K ワード x 16 ビットに構成された高性能 CMOS 静的 RAM です。鉛フリーの標準 44 ピン TSOP II で提供され、センターパワーおよびアースピンアウト、 48 ボール超ファインピッチボールグリッドアレイ (VFBGA) パッケージを備えています。通常、高速は 10 ns です 低スタンバイ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります TTL互換の入出力
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 インチワード数 = 128K1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
¥339,800
税込¥373,780
5日以内出荷
使用温度範囲 産業用: 40 85 C 車載用 -A : 40 85 C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA 10 ns 低アクティブ電力 ICC 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2 3 mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm高さ = 1.04mm幅 = 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(3個)
¥1,598
税込¥1,758
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 x 16 ビット●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 10ns●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 44●寸法: 18.51×10.26×1.04mm●高さ: 1.04mm●幅: 10.26mm●使用温度範囲 産業用:-40~85℃ 車載用 -A :-40~85℃ C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA: 10 ns 低アクティブ電力 ICC: 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2: mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(3個)
¥1,498
税込¥1,648
7日以内出荷
Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,898
税込¥2,088
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,198
税込¥2,418
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,098
税込¥1,208
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 15ns●クロック周波数: 104MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 16●寸法: 10.49×7.59×2.36mm●高さ: 2.36mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥1,898
税込¥2,088
5日以内出荷
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