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Infineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-G INFINEONInfineon FRAMメモリ, 16kbit, SOIC, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-GINFINEON
1,298税込1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.97×3.98×1.48mm●長さ: 4.97mm●幅: 3.98mm●高さ: 1.48mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ, 16kbit, DFN, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-DG INFINEONInfineon FRAMメモリ, 16kbit, DFN, シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C, FM24CL16B-DGINFINEON
1,898税込2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16kbit●構成: 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ: シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●データバス幅: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 3000ns●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: DFN●ピン数: 8●寸法: 4×4.5×0.7mm●長さ: 4.5mm●幅: 4mm●高さ: 0.7mm●動作温度 Max: +85 ℃●ワード数: 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXIINFINEON
1,198税込1,318
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128 K x 16 ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: VFBGA●ピン数: 48●寸法: 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max: 3.6 Vmm●幅: 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 512kbit, 32k x 16, 44-Pin CY7C1020DV33-10ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 512kbit, 32k x 16, 44-Pin CY7C1020DV33-10ZSXIINFINEON
1,698税込1,868
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 512kbit●構成: 32k x 16●ワード数: 32k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 10ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-44●ピン数: 44●寸法: 18.51 x 10.26 x 1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXIINFINEON
1,998税込2,198
1個
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 15ns●クロック周波数: 104MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 16●寸法: 10.49×7.59×2.36mm●高さ: 2.36mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167DV30LL-55ZXI INFINEONInfineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167DV30LL-55ZXIINFINEON
3,298税込3,628
1個
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 55ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXA INFINEONInfineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXAINFINEON
2,498税込2,748
1個
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Min: -40 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1Mbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021DV33-10ZSXIT INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021DV33-10ZSXITINFINEON
1,098税込1,208
1袋(3個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 x 16 ビット●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 10ns●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 44●寸法: 18.51×10.26×1.04mm●高さ: 1.04mm●幅: 10.26mm●使用温度範囲 産業用:-40~85℃ 車載用 -A :-40~85℃ C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA: 10 ns 低アクティブ電力 ICC: 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2: mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されますRoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45Z INFINEONCypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45ZINFINEON
2,798税込3,078
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128k x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
SRAM 64Mbit, 4 M x 16 INFINEONSRAM 64Mbit, 4 M x 16INFINEON
2,598,000税込2,857,800
1セット(210個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 64Mbit構成 = 4 M x 16ワード数 = 4000k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXIINFINEON
1,998税込2,198
1個
5日以内出荷
Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167DV30LL-55ZXI INFINEONInfineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167DV30LL-55ZXIINFINEON
3,298税込3,628
1個
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXA INFINEONInfineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXAINFINEON
2,498税込2,748
1個
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1024kbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021D-10ZSXIT INFINEONInfineon, SRAM 1024kbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021D-10ZSXITINFINEON
519,800税込571,780
1セット(1000個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 655361ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 インチ CY7C1011DV33-10BVXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 インチ CY7C1011DV33-10BVXIINFINEON
349,800税込384,780
1セット(480個)
5日以内出荷
Cypress Semiconductor CY7C1011DV33 は、 128 K ワード x 16 ビットに構成された高性能 CMOS 静的 RAM です。鉛フリーの標準 44 ピン TSOP II で提供され、センターパワーおよびアースピンアウト、 48 ボール超ファインピッチボールグリッドアレイ (VFBGA) パッケージを備えています。通常、高速は 10 ns です 低スタンバイ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります TTL互換の入出力
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 インチワード数 = 128K1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1Mbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021DV33-10ZSXIT INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 64 k x 16 ビット, 44-Pin CY7C1021DV33-10ZSXITINFINEON
1,198税込1,318
1袋(3個)
5日以内出荷
使用温度範囲 産業用: 40 85 C 車載用 -A : 40 85 C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA 10 ns 低アクティブ電力 ICC 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2 3 mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm高さ = 1.04mm幅 = 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 512kbit, 32k x 16, 44-Pin CY7C1020DV33-10ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 512kbit, 32k x 16, 44-Pin CY7C1020DV33-10ZSXIINFINEON
1,698税込1,868
1袋(2個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 32k x 16ワード数 = 32k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXIINFINEON
1,198税込1,318
1袋(2個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45Z INFINEONCypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45ZINFINEON
2,798税込3,078
1袋(5個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128k x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
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 使用用途などの自然な言葉で検索できるようになりました(例:工場の床に白い線を引く)詳細はこちら