「ns32」の検索結果
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仕様●メモリサイズ： 512kbit●構成： 32k x 16●ワード数： 32k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 10ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP-44●ピン数： 44●寸法： 18.51 x 10.26 x 1.05mm●高さ： 1.05mm●幅： 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 k x 8ビットワード数 = 32k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsアドレスバス幅 = 8bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOJピン数 = 28寸法 = 18.03 x 7.62 x 0.254mm高さ = 0.254mm幅 = 7.62mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,098
税込￥2,308
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 32k x 16ワード数 = 32k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 10.26mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥2,198
税込￥2,418
5日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 32kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
￥94,980
税込￥104,478
5日以内出荷
CY7C109B / CY7C1009B とピン及び機能の互換性があります。高速 tAA = 10 ns 低アクティブ電力 ICC = 80 mA @ 10 ns 低 CMOS スタンバイ電力 ISB2 = 3 mA 2.0 V Data 選択解除時に自動的に電源がオフになります。TTL互換の入出力 CE1 、CE2 、OE オプションを使用してメモリを簡単に拡張できます。CY7C109D は、鉛フリー 32 ピン 400-Mil ワイド成形 SOJ 及び 32 ピン TSOP I パッケージで提供されています。CY7C1009D は、鉛フリーの 32 ピン 300-Mil ワイド成形 SOJ パッケージで提供されています。
仕様メモリサイズ = 1Mbit、構成 = 128 k x 8ビット、ワード数 = 128k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 10ns、クロック周波数 = 100MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOJ、ピン数 = 32、寸法 = 0.83 x 0.305 x 0.11mm、高さ = 0.11mm、動作温度 Min = -40 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(750個)
￥379,800
税込￥417,780
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 4096kbit●構成： 512 K x 8 ビット●ワード数： 512k●1ワード当たりのビット数： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 8bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP-32●ピン数： 32●寸法： 8.1 x 11.9 x 1.05mm●高さ： 1.05mm●幅： 11.9mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥689,800
税込￥758,780
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 256kbit●構成： 32 K x 8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●自動車規格： AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
￥97,980
税込￥107,778
7日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4096kbit、構成 = 512 K x 8 ビット、ワード数 = 512k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 45ns、アドレスバス幅 = 8bit、クロック周波数 = 1MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = TSOP-32、ピン数 = 32、寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm、高さ = 1.05mm、幅 = 11.9mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
￥699,800
税込￥769,780
5日以内出荷
Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命 (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速： 45 ns 電圧範囲： 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります
仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 8bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-32ピン数 = 32寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 11.9mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,698
税込￥1,868
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 1024kbit●構成： 128 x 8ビット●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 8bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP-32●ピン数： 32●寸法： 8.1×11.9×1.05mm●高さ： 1.05mm●幅： 11.9mm●Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命- (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速： 45 ns 電圧範囲： 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,698
税込￥1,868
7日以内出荷
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