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Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥1,698税込￥1,868
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = OptiMOS実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃Infineon OptiMOS小信号MOSFETRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流ダイオード， 70mA， 70V 表面実装， 3-Pin SOT-23
INFINEON
￥94,980税込￥104,478
1セット(10000個)
7日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続順方向電流 = 70mAピーク逆繰返し電圧 = 70Vシリーズ = BAS70ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流ダイオード，コモンアノード， 120mA， 40V 表面実装， 3-Pin SOT-23
INFINEON
￥88,980税込￥97,878
1セット(10000個)
7日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続順方向電流 = 120mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vシリーズ = BAS40ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流器 / ショットキーダイオード， 70mA， 70V 表面実装 SOT-23
INFINEON
￥299税込￥329
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続順方向電流 = 70mAピーク逆繰返し電圧 = 70Vシリーズ = BAS70RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 3.6 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥44,980税込￥49,478
1セット(3000個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 56 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET25 V 5.8 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥39,980税込￥43,978
1セット(3000個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 12 → 25 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 1.25 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 190 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥25,980税込￥28,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS小信号MOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.8V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm高さ = 1mm
Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥389税込￥428
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 150 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 5.3 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥45,980税込￥50,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET20 V 2.6 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥35,980税込￥39,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 236 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 5 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥47,980税込￥52,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 37 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.02mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥799税込￥879
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 170 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥4,098税込￥4,508
1袋(250個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 330 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥1,098税込￥1,208
1袋(50個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 整流器 / ショットキーダイオード，シリーズ， 200mA， 30V 表面実装 SOT-23
INFINEON
￥25,980税込￥28,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続順方向電流 = 200mAピーク逆繰返し電圧 = 30Vシリーズ = BAT 54RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装パッケージSOT-23 3 ピン
INFINEON
￥35,980税込￥39,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 480 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.25 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon PNP トランジスタ
INFINEON
￥4,398税込￥4,838
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Infineon Pチャンネル小信号 MOSFET
INFINEON
￥2,398～税込￥2,638～
1袋(50個)ほか
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Infineon バイポーラトランジスタ， NPN，表面実装， 35 mA， BFR182E6327HTSA1
INFINEON
￥699税込￥769
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 35 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
0.2A Smart High-Side Power Switch SOT223
INFINEON
￥3,798～税込￥4,178～
1袋(20個)ほか
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RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
Infineon NPN トランジスタ
INFINEON
￥2,998～税込￥3,298～
1袋(100個)ほか
7日以内出荷
バリエーション一覧へ(76)
Infineon Nチャンネル小信号 MOSFET
INFINEON
￥1,598～税込￥1,758～
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
バリエーション一覧へ(62)
Infineon NPN 抵抗内蔵トランジスタ
INFINEON
￥1,898税込￥2,088
1袋(50個)
7日以内出荷
バリエーション一覧へ(25)
Infineon Pチャンネル MOSFET20 V 630 mA 表面実装パッケージSOT-323 3 ピン
INFINEON
￥279税込￥307
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 630 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323実装タイプ = 表面実装ピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET250 V 430 mA 表面実装パッケージSOT-223 3 ピン
INFINEON
￥1,298税込￥1,428
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 430 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応