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  • SOT-23-6 ピッチ変換基板(5枚パック) a bit better circuit

    SOT-23-6 ピッチ変換基板(5枚パック)

    a bit better circuit
    389税込428
    1個
    欠品中
    SOT-23-6のピッチ変換基板 10mm×8mmの基板5枚のセットで、小さなプロトタイプを製作するのに最適です。SOT-23-6の6つのピンを全て引き出しています。ブレッドボードの中央に設置可能です。2.54mmピッチのユニバーサル基板にもぴったり配置できます。
  • SOT-23 ピッチ変換基板 コンパクト(5枚パック) a bit better circuit

    SOT-23 ピッチ変換基板 コンパクト(5枚パック)

    a bit better circuit
    369税込406
    1パック
    当日出荷
    超小型パッケージSOT-23のピッチ変換基板 3端子のトランジスタなど、SOT-23パッケージのデバイスを2.54mmピッチに変換する基板の5枚セットです。10mm×6mmの小型基板なので、小さなプロトタイプを製作するのに最適です。
  • DIODE PIN GP 200V SOT-23 BROADCOM

    DIODE PIN GP 200V SOT-23

    BROADCOM
    159税込175
    1個
    3日以内出荷
    仕様If:1A、VBR:200V、RS:1.5オーム @ 100mA、100MHz、CT:0.3pF @ 50V、1MHz構造内部/SingleパッケージSOT-23-3
  • onsemi Pチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23 onsemi

    onsemi Pチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23

    onsemi
    559税込615
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様●チャンネルタイプ : P●IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 : 1.5 to 20mA●最大ドレイン-ゲート間電圧 : 25V dc●回路構成 : シングル●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 300 Ω●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-23●ピン数 : 3●ソースゲート オンキャパシタンス : 11pF●寸法 : 3.04 x 1.4 x 1.01mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●PチャンネルJFET●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio オペアンプ, 3 V, 5-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio オペアンプ, 3 V, 5-Pin SOT-23

    新日本無線
    229税込252
    1個
    翌々日出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V標準ゲインバンド幅積 = 1MHz標準スルーレート = 0.4V/μs動作温度 Max = +85 ℃寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm低ノイズ及び低動作電流オペアンプ、NJRRoHS指令(10物質対応)対応
  • オンセミ, ツェナーダイオード, 5.6V, 300 mW, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR

    オンセミ, ツェナーダイオード, 5.6V, 300 mW, 3-Pin SOT-23

    ON SEMICONDUCTOR
    23税込25
    1個
    翌々日出荷
    仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 2.9mm寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23
  • Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 東芝

    Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET, 60 V, 400 mA, 3 ピン パッケージSOT-23

    東芝
    1,498税込1,648
    1袋(100個)
    当日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 nsRoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio オペアンプ, 3~5V, 5-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio オペアンプ, 3~5V, 5-Pin SOT-23

    新日本無線
    2,498税込2,748
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V標準ゲインバンド幅積 = 1MHz標準スルーレート = 1V/μs動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.6mmLow Operating Current Operational Amplifiers, NJRRoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio 電圧監視 IC, 2.772V, 5-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio 電圧監視 IC, 2.772V, 5-Pin SOT-23

    新日本無線
    699税込769
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様電圧管理タイプ = 電圧ディテクター管理数 = 1手動リセット = あり最大リセット閾値電圧 = 2.828V最小リセット閾値電圧 = 2.772V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 5寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm長さ = 2.9mm動作供給電圧 Max = 9 V幅 = 1.6mmMicroprocessor Supervisory & Reset Circuits, New Japan RadioRoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio ビデオアンプ, 3~5V, 6-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio ビデオアンプ, 3~5V, 6-Pin SOT-23

    新日本無線
    1,598税込1,758
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様電源タイプ = シングル標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 6寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm長さ = 2.9mm動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.6mmビデオオペアンプ、NJR
  • ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin SOT-23

    ON SEMICONDUCTOR
    719税込791
    1袋(50個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio オペアンプ, 3 ~12 V, 5-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio オペアンプ, 3 ~12 V, 5-Pin SOT-23

    新日本無線
    249税込274
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 → 12 V標準ゲインバンド幅積 = 10MHz標準スルーレート = 3.5V/μs動作温度 Min = -40 ℃幅 = 1.6mm低ノイズオペアンプ、NJRRoHS指令(10物質対応)対応
  • NXP 基準電圧IC, 出力:2.5 - 36V, 3ピン SOT-23 nexperia

    NXP 基準電圧IC, 出力:2.5 - 36V, 3ピン SOT-23

    nexperia
    4,498税込4,948
    1袋(50個)
    翌々日出荷
    仕様公称電圧 = 2.5 - 36Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 37 V出力電圧 Min = 2.495 V出力電圧 Max = 36 Vピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mmTL431シャントレギュレータ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor Pチャンネル JFETトランジスタ, 15 V, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor Pチャンネル JFETトランジスタ, 15 V, 3-Pin SOT-23

    ON SEMICONDUCTOR
    3,398税込3,738
    1枚(50個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 → -25mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor PNP トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor PNP トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23

    ON SEMICONDUCTOR
    279税込307
    1袋(20個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 0.9 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor
  • New Japan Radio オペアンプ, 3 ~18 V, 5-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio オペアンプ, 3 ~18 V, 5-Pin SOT-23

    新日本無線
    189税込208
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 → 18 V標準ゲインバンド幅積 = 1.2MHz標準スルーレート = 1.2V/μs動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.6mmLow Operating Voltage Operational Amplifiers, NJRRoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio オペアンプ, 3~5V, 5-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio オペアンプ, 3~5V, 5-Pin SOT-23

    新日本無線
    1,998税込2,198
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V標準ゲインバンド幅積 = 800kHz標準スルーレート = 0.85V/μs動作温度 Min = -40 ℃幅 = 1.6mm高出力電流オペアンプ、NJRRoHS指令(10物質対応)対応
  • Nexperia Nチャンネル MOSFET, 60 V, 360 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 nexperia

    Nexperia Nチャンネル MOSFET, 60 V, 360 mA, 3 ピン パッケージSOT-23

    nexperia
    1,198税込1,318
    1リール(50個)
    欠品中
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.6V最低ゲートしきい値電圧 = 0.48V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Nexperia NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

    Nexperia NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

    nexperia
    799税込879
    1袋(25個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23

    onsemi
    1,098税込1,208
    1箱(25個)
    7日以内出荷
    仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.92×1.3×0.93ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28
  • onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 3-Pin SOT-23

    onsemi
    1,098税込1,208
    1袋(25個)
    7日以内出荷
    チャンネルタイプ = N。IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA。最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V。最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35V。トランジスタ構成 = シングル。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pF。ソースゲート オンキャパシタンス = 28pF。寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm。幅 = 1.3mm。NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio 基準電圧IC, 出力:1.2 - 13V, 5ピン SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio 基準電圧IC, 出力:1.2 - 13V, 5ピン SOT-23

    新日本無線
    989税込1,088
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様公称電圧 = 1.2 - 13Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 12mA入力電圧 Max = 14 V出力電圧 Min = 1200 mV出力電圧 Max = 13 Vピン数 = 5ロードレギュレーション = 10 mV寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm幅 = 1.6mm電圧リファレンス、調整可能、新日本無線RoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio 500 MHz RFアンプ IC, 5.5 V, 6-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio 500 MHz RFアンプ IC, 5.5 V, 6-Pin SOT-23

    新日本無線
    2,198税込2,418
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様アンプタイプ = パワー標準3dBバンド幅 = 400MHz標準ノイズ = 9dB1チップ当たりのチャンネル数 = 1最大動作周波数 = 500 MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 6寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm長さ = 2.9mm動作温度 Max = +85 ℃オーディオ / ビデオ / RF、新日本無線RoHS指令(10物質対応)対応
  • Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB) nexperia

    Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)

    nexperia
    579税込637
    1袋(50個)
    翌々日出荷
    仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1袋(100個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = OptiMOS実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃Infineon OptiMOS小信号MOSFETRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 500 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 500 mA, 3 ピン パッケージSOT-23

    ON SEMICONDUCTOR
    329税込362
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 300 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 25 V, 680 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 25 V, 680 mA, 3 ピン パッケージSOT-23

    ON SEMICONDUCTOR
    2,498税込2,748
    1袋(100個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mW動作温度 Min = -55 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
  • Vishay スイッチングダイオード, 150mA, 100V, 3-Pin SOT-23,エレメント数 2, シリーズ VISHAY

    Vishay スイッチングダイオード, 150mA, 100V, 3-Pin SOT-23,エレメント数 2, シリーズ

    VISHAY
    1,498税込1,648
    1袋(100個)
    翌々日出荷
    仕様ダイオード構成 = シリーズ実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = SOT-23ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション最大順方向降下電圧 = 1.25V動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 3.1mm幅 = 1.43mm高さ = 1.05mm寸法 = 3.1 x 1.43 x 1.05mm小信号スイッチングダイオード、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 4 A, 3 ピン パッケージSOT-23F 東芝

    Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 4 A, 3 ピン パッケージSOT-23F

    東芝
    979税込1,077
    1袋(30個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 136 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = +20 Vパッケージタイプ = SOT-23F実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝RoHS指令(10物質対応)対応
  • STマイクロ, ウォッチドッグタイマ, 5-Pin SOT-23 STMicro

    STマイクロ, ウォッチドッグタイマ, 5-Pin SOT-23

    STMicro
    769税込846
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装タイマータイプ = ウォッチドッグパッケージタイプ = SOT-23内部タイマー数 = 1ピン数 = 5動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃幅 = 1.6mmウォッチドッグタイマ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio LDO電圧レギュレータ 200mA, 3.3 V 固定出力, 5-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio LDO電圧レギュレータ 200mA, 3.3 V 固定出力, 5-Pin SOT-23

    新日本無線
    629税込692
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様出力電圧 = 3.3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SOT-23出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 14 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.12mA精度 = ±1%動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃高さ = 1.1mmLDO(低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、3.x V出力、New Japan RadioRoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio LDO電圧レギュレータ 100mA, 2.8 V 固定出力, 5-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio LDO電圧レギュレータ 100mA, 2.8 V 固定出力, 5-Pin SOT-23

    新日本無線
    679税込747
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様出力電圧 = 2.8 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SOT-23出力電流 Max = 100mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 9 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.002mA精度 = ±1%動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.6mmLDO (低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、2.x V出力、新日本無線RoHS指令(10物質対応)対応
  • New Japan Radio LDO電圧レギュレータ 200mA, 3 V 固定出力, 5-Pin SOT-23 新日本無線

    New Japan Radio LDO電圧レギュレータ 200mA, 3 V 固定出力, 5-Pin SOT-23

    新日本無線
    229税込252
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    仕様出力電圧 = 3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SOT-23出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 14 Vピン数 = 5出力数 = 1静止電流 = 0.12mA精度 = ±2%動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.6mmLDO(低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、3.x V出力、New Japan RadioRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 380 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 380 mA, 3 ピン パッケージSOT-23

    ON SEMICONDUCTOR
    1,098税込1,208
    1袋(100個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 380 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 420 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1NチャンネルパワーMOSFET、60 V、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 280 mA, 3 ピン パッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

    ON Semiconductor Nチャンネル 小信号 MOSFET, 60 V, 280 mA, 3 ピン パッケージSOT-23

    ON SEMICONDUCTOR
    359税込395
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 280 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 300 mW寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
  • Microchip 電圧監視 IC 1チャンネル, 5-Pin SOT-23 MICROCHIP

    Microchip 電圧監視 IC 1チャンネル, 5-Pin SOT-23

    MICROCHIP
    279,800税込307,780
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Microchip 温度センサスイッチ IC, ±0.5℃, 5-Pin SOT-23 MICROCHIP

    Microchip 温度センサスイッチ IC, ±0.5℃, 5-Pin SOT-23

    MICROCHIP
    779税込857
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様●センサ機能: 温度スイッチ●出力タイプ: オープンドレイン●精度: ±0.5℃●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 5●動作温度 Min: -40 ℃●動作温度 Max: +125 ℃●動作供給電圧 Min: 2.7 V●動作供給電圧 Max: 5.5 V●パッケージタイプ: SOT-23●長さ: 3.1mm●高さ: 1.3mm●幅: 1.8mm●寸法: 3.1×1.8×1.3mm●MCP9509/10抵抗設定可能な温度スイッチ. MCP9509/10シリーズの温度スイッチは、スイッチヒステリシスや出力構造の構成など、多様なプログラム可能なオプションを備えた外部抵抗器で制御します。 設計者はこのスイッチを使用することで、要件に従って温度制御アプリケーションをカスタマイズできます。 代表的な用途には、温度アラーム、サーモスタット制御、ファン制御、基地局、車載用及び電源の熱シャットダウンがあります。. 特長: ユーザー設定可能 2つの検出オプション: 低温から高温(H)又は高温から低温(C) 電圧範囲: 2.7 → 5.5 V 供給電流: 30 μA SOT-23パッケージ 出力構成オプション スイッチヒステリシスのオプションRoHS指令(10物質対応)対応
  • Microchip 温度センサIC, ±2℃, アナログ, 3-Pin SOT-23 MICROCHIP

    Microchip 温度センサIC, ±2℃, アナログ, 3-Pin SOT-23

    MICROCHIP
    149,800税込164,780
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Microchip マイコン ATtiny, 6-Pin SOT-23 ATTINY4-TSHR MICROCHIP

    Microchip マイコン ATtiny, 6-Pin SOT-23 ATTINY4-TSHR

    MICROCHIP
    1,898税込2,088
    1袋(25個)
    7日以内出荷
    Microchip ATtiny4 8 ビットマイクロコントローラは、ベースの AVR R RISC アーキテクチャです。1.8 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。このマイクロコントローラは、 4 KB ISP フラッシュ、 256 B EEPROM 、 256 B SRAM 、汎用 I/O ライン x 12 、汎用作業レジスタ x 32 、 PWM チャンネル x 2 の 8 ビットタイマ / カウンタ、 2 つの PWM チャンネル付き 16 ビットタイマ / カウンタ、内部及び外部割り込み、 8 チャンネル 10 ビット A/D コンバータ、プログラム可能なゲイン段( 1 x 、 20 倍)を備えています。 12 個の差動 ADC チャンネルペア、発振器を内蔵したプログラム可能ウォッチドッグタイマ、内蔵較正済み発振器、 3 種類のソフトウェア選択可能な省電力モード用です。最大スループット: 12 MIPS @ 12 MHz フラッシュ書き込み / 消去サイクル: 10 、 000 回 データ保持: 20 年 @ 85 ° C / 100 年 @ 25 ° C QTouch R ライブラリ対応静電容量型タッチ検出( 1 チャンネル) 16 ビットタイマ / カウンタ x 1 (プリスケーラ及び PWM チャンネル x 2 を搭載 プログラマブルウォッチドッグタイマ(独立したオンチップ発振器を搭載) 4 チャンネル、 8 ビットアナログ - デジタルコンバータ( ATtiny5/10 、のみ) オンチップアナログコンパレータ 外部 / 内部の割り込みソース 低電力アイドル、ADCノイズ除去、パワーダウンモード 強化されたパワーオンリセット回路 割り込み及びリセット付きのプログラム可能な電源電圧レベルモニタ 内蔵の較正済み発振器 使用温度範囲: -40 → 125 ° C 6 ピン SOT 及び 8 パッド UDFN パッケージです
    仕様ファミリー名 = ATtiny4パッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6デバイスコア = AVRデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 20MHzRAMサイズ = 32 BUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 1SPIチャンネル数 = 0CANチャンネル数 = 0最大イーサネットチャンネル数 = 0mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • onsemi Nチャンネル JFET, 0.4 V, 3-Pin SOT-23 onsemi

    onsemi Nチャンネル JFET, 0.4 V, 3-Pin SOT-23

    onsemi
    2,698税込2,968
    1箱(100個)
    7日以内出荷
    仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法2.9 x 1.3 x 0.97mmピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)8 to 80最大ドレイン-ゲート間電圧(V)40
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