「sot-23」の検索結果

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SOT-23-6 ピッチ変換基板(5枚パック)a bit better circuit

￥389税込￥428

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SOT-23-6のピッチ変換基板 10mm×8mmの基板5枚のセットで、小さなプロトタイプを製作するのに最適です。SOT-23-6の6つのピンを全て引き出しています。ブレッドボードの中央に設置可能です。2.54mmピッチのユニバーサル基板にもぴったり配置できます。

SOT-23 ピッチ変換基板コンパクト(5枚パック)a bit better circuit

￥369税込￥406

1パック

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超小型パッケージSOT-23のピッチ変換基板 3端子のトランジスタなど、SOT-23パッケージのデバイスを2.54mmピッチに変換する基板の5枚セットです。10mm×6mmの小型基板なので、小さなプロトタイプを製作するのに最適です。

DIODE PIN GP 200V SOT-23BROADCOM

￥159税込￥175

1個

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仕様If：1A、VBR：200V、RS：1.5オーム @ 100mA、100MHz、CT：0.3pF @ 50V、1MHz構造内部/SingleパッケージSOT-23-3

onsemi Pチャンネル JFET， 3-Pin SOT-23onsemi

￥339税込￥373

1袋(10個)

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仕様●チャンネルタイプ： P●IDSSドレイン-ソースカットオフ電流： 1.5 to 20mA●最大ドレイン-ゲート間電圧： 25V dc●回路構成：シングル●最大ドレイン-ソース間抵抗： 300 Ω●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOT-23●ピン数： 3●ソースゲートオンキャパシタンス： 11pF●寸法： 3.04 x 1.4 x 1.01mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●PチャンネルJFET●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

New Japan Radio オペアンプ， 3 V， 5-Pin SOT-23新日本無線

￥73税込￥80

1個

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仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V標準ゲインバンド幅積 = 1MHz標準スルーレート = 0.4V/μs動作温度 Max = +85 ℃寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm低ノイズ及び低動作電流オペアンプ、NJRRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin SOT-23onsemi

￥949税込￥1,044

1箱(25個)

5日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.92×1.3×0.93ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)50最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)min. 5最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

オンセミ，ツェナーダイオード， 5.6V， 300 mW， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥17税込￥19

1個

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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOT-23ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 7%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 2.9mm寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.94mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード225 mW、BZX84BxxxLT、BZX84CxxxLTシリーズ、ON Semiconductor. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX84B)、約5 % (BZX84C) 表面実装ケース: SOT-23

onsemi Nチャンネル JFET， 3-Pin SOT-23onsemi

￥949税込￥1,044

1袋(25個)

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チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 5mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

NXP 基準電圧IC，出力：2.5 - 36V， 3ピン SOT-23nexperia

￥1,898税込￥2,088

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仕様公称電圧 = 2.5 - 36Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 37 V出力電圧 Min = 2.495 V出力電圧 Max = 36 Vピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mmTL431シャントレギュレータ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

New Japan Radio 電圧監視 IC， 2.772V， 5-Pin SOT-23新日本無線

￥679税込￥747

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仕様電圧管理タイプ = 電圧ディテクター管理数 = 1手動リセット = あり最大リセット閾値電圧 = 2.828V最小リセット閾値電圧 = 2.772V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 5寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm長さ = 2.9mm動作供給電圧 Max = 9 V幅 = 1.6mmMicroprocessor Supervisory & Reset Circuits， New Japan RadioRoHS指令(10物質対応)対応

New Japan Radio ビデオアンプ， 3～5V， 6-Pin SOT-23新日本無線

￥1,498税込￥1,648

1袋(5個)

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仕様電源タイプ = シングル標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 6寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm長さ = 2.9mm動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.6mmビデオオペアンプ、NJR

New Japan Radio オペアンプ， 3～5V， 5-Pin SOT-23新日本無線

￥2,398税込￥2,638

1袋(5個)

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仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V標準ゲインバンド幅積 = 1MHz標準スルーレート = 1V/μs動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.6mmLow Operating Current Operational Amplifiers， NJRRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥499税込￥549

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

Toshiba デュアル Nチャンネル MOSFET， 60 V， 400 mA， 3 ピンパッケージSOT-23東芝

￥1,398税込￥1,538

1袋(100個)

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 nsRoHS指令(10物質対応)対応

New Japan Radio オペアンプ， 3 ～12 V， 5-Pin SOT-23新日本無線

￥249税込￥274

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 → 12 V標準ゲインバンド幅積 = 10MHz標準スルーレート = 3.5V/μs動作温度 Min = -40 ℃幅 = 1.6mm低ノイズオペアンプ、NJRRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Pチャンネル JFETトランジスタ， 15 V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥3,500税込￥3,850

1枚(50個)

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仕様チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 → -25mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥229税込￥252

1袋(20個)

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mW最小DC電流ゲイン = 220トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 0.9 V先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 小信号PNPトランジスタ、ON Semiconductor

New Japan Radio オペアンプ， 3 ～18 V， 5-Pin SOT-23新日本無線

￥189税込￥208

1袋(5個)

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仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 → 18 V標準ゲインバンド幅積 = 1.2MHz標準スルーレート = 1.2V/μs動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.6mmLow Operating Voltage Operational Amplifiers， NJRRoHS指令(10物質対応)対応

New Japan Radio オペアンプ， 3～5V， 5-Pin SOT-23新日本無線

￥1,698税込￥1,868

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V標準ゲインバンド幅積 = 800kHz標準スルーレート = 0.85V/μs動作温度 Min = -40 ℃幅 = 1.6mm高出力電流オペアンプ、NJRRoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia Nチャンネル MOSFET， 60 V， 360 mA， 3 ピンパッケージSOT-23nexperia

￥889税込￥978

1リール(50個)

欠品中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.6V最低ゲートしきい値電圧 = 0.48V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 0.4 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥2,598税込￥2,858

1箱(100個)

5日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法2.9 x 1.3 x 0.97mmピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)8 to 80最大ドレイン-ゲート間電圧(V)40

onsemi Nチャンネル JFET， 15 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥2,598税込￥2,858

1セット(50個)

5日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.9×1.3×1.04ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)15最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)30最大ゲート-ソース間電圧(V)-35トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)20最大ドレイン-ゲート間電圧(V)35ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)28ソースゲートオンキャパシタンス(pF)28

onsemi Nチャンネル JFET， 0.2 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥2,798税込￥3,078

1袋(50個)

5日以内出荷

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 8mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.2 V最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40V回路構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 Ω実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.92 x 1.3 x 0.93mm高さ = 0.93mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 0.4 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥2,598税込￥2,858

1袋(100個)

5日以内出荷

チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = 8 to 80mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 0.4 V最大ゲート-ソース間電圧 = -40 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 40Vトランジスタ構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.97mm幅 = 1.3mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Pチャンネル JFET， 15 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥3,298税込￥3,628

1袋(50個)

5日以内出荷

チャンネルタイプ = PIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = -2 to -15mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 15 V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = -30Vトランジスタ構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 2.9 x 1.3 x 1.04mm幅 = 1.3mmPチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor

RoHS指令(10物質対応)対応

DiodesZetex 電流モニタ， 2.5 → 20 V， 3-Pin SOT-23DiodesZetex

￥299,800税込￥329,780

1セット(3000個)

5日以内出荷

標準シングル供給電圧 = 2.5 → 20 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3寸法 = 3.05 x 1.4 x 1mm高さ = 1mm長さ = 3.05mm幅 = 1.4mm電流検出アンプ、DiodesZetex

RoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia

￥479税込￥527

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia

￥1,298税込￥1,428

1袋(25個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 450 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 150 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃低飽和電圧NPNトランジスタ、Nexperia. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧NPNバイポーラ接合トランジスタ製品です。このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。RoHS指令(10物質対応)対応

onsemi Nチャンネル JFET， 20 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥1,998税込￥2,198

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様NチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.9×1.3×1.04ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ゲート-ソース間電圧(V)-40トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)10 to 40最大ドレイン-ゲート間電圧(V)40

onsemi Pチャンネル JFET， 15 V， 3-Pin SOT-23onsemi

￥3,298税込￥3,628

1箱(50個)

5日以内出荷

仕様PチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor寸法(mm)2.9×1.3×1.04ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプ表面実装チャンネルタイプP最大ドレイン-ソース間電圧(V)15最大ゲート-ソース間電圧(V)30IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)-2 to -15最大ドレイン-ゲート間電圧(V)-30

New Japan Radio 基準電圧IC，出力：1.2 - 13V， 5ピン SOT-23新日本無線

￥939税込￥1,033

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様公称電圧 = 1.2 - 13Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±0.5 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 12mA入力電圧 Max = 14 V出力電圧 Min = 1200 mV出力電圧 Max = 13 Vピン数 = 5ロードレギュレーション = 10 mV寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm幅 = 1.6mm電圧リファレンス、調整可能、新日本無線RoHS指令(10物質対応)対応

New Japan Radio コンパレータ， 3～5V，オープンドレイン出力， 5-Pin SOT-23新日本無線

￥2,398税込￥2,638

1袋(5個)

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仕様コンパレータタイプ = 汎用実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23電源タイプ = シングル出力タイプ = オープンドレイン1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 5標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm長さ = 2.9mm幅 = 1.6mm高さ = 1.1mm標準CMRR = 55dB動作温度 Min = -40 ℃コンパレータ、NJRRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon， PINダイオードシリーズ， 3-Pin SOT-23INFINEON

￥479税込￥527

1袋(25個)

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PINダイオード、Infineon. RFスイッチングやアッテネータ用途に適したさまざまなPINダイオード

仕様ダイオード構成 = シリーズアプリケーション = サージ保護デバイス最大順方向電流 = 200mA最大逆電圧 = 150V標準キャリアライフ時間 = 0.7μs最大順方向電圧 = 1.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 3最大ダイオードキャパシタンス = 0.9pF最大シリーズ抵抗 @ 最大 IF = 1.8 Ω@ 5 mA寸法 = 2.9 x 1.3 x 0.9mm高さ = 0.9mm長さ = 2.9mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応

New Japan Radio 500 MHz RFアンプ IC， 5.5 V， 6-Pin SOT-23新日本無線

￥2,298税込￥2,528

1袋(5個)

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仕様アンプタイプ = パワー標準3dBバンド幅 = 400MHz標準ノイズ = 9dB1チップ当たりのチャンネル数 = 1最大動作周波数 = 500 MHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23ピン数 = 6寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm長さ = 2.9mm動作温度 Max = +85 ℃オーディオ / ビデオ / RF、新日本無線RoHS指令(10物質対応)対応

Kingbright LED，赤，表面実装， SOT-23， KM-23ID-FKINGBRIGHT

￥94,980税込￥104,478

1セット(2000個)

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Kingbright SMT SOT-23パッケージ. KingbrightのSOT-23表面実装(SMT) LEDランプは、業界標準のSOT-23パッケージに収められています。 SOT-23 LEDは、消費電力が低く、ソリッドステートの信頼性による長寿命を実現しています。. SOT-23シリーズの特長: 寸法: 3.0 x 1.3 mm 標準SOT-23パッケージ視野角140 ° さまざまな色を選択可能

仕様LED色 = 赤パッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.5 V光度 = 12 mcdピン数 = 3ビュー角 = 140 °レンズ形状 = 長方形主波長 = 625 nm寸法 = 3 x 1.3mmRoHS指令(10物質対応)対応

Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON

￥999税込￥1,099

1袋(100個)

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = OptiMOS実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃Infineon OptiMOS小信号MOSFETRoHS指令(10物質対応)対応

Diode 200V 0.2A 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥26,980税込￥29,678

1リール(3000個)

7日以内出荷

仕様小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 500 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥229税込￥252

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 500 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 300 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 170 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥339税込￥373

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 25 V， 680 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥1,998税込￥2,198

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 450 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大ゲート-ソース間電圧 = +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mW動作温度 Min = -55 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応