仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 34.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 30 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃mm
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Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ CoolMOS(TM) C3実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.5 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 40 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V標準ゲートチャージ Vgs 45 nC 10 Vmm高さ 16.15mm
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥919
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