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INFINEONInfineon NチャンネルパワーMOSFET

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￥479～税込￥527～

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BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET25 V 153 A 表面実装パッケージTSON-8-3 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET25 V 153 A 表面実装パッケージTSON-8-3 8 ピン

エコ商品

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 153 A最大ドレイン-ソース間電圧 25 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 81チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(5000個)

￥429,800 税込￥472,780

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BSO604NS2XUMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET55 V 5 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピン

エコ商品

Infineon の MOSFET 設計は MOSFET トランジスタとも呼ばれ、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」を意味します。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。ロジックレベルエンハンスメントモードグリーン製品( RoHS 対応) AEC認定

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 0.035 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V1チップ当たりのエレメント数 2 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥2,898 税込￥3,188

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BSC054N04NSGATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 81 A 表面実装パッケージSuperSO8 5 x 6 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET40 V 81 A 表面実装パッケージSuperSO8 5 x 6 8 ピン

エコ商品

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 81 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 0.0054 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V1チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(25個)

￥2,198 税込￥2,418

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BSC011N03LSIATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費 96 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃V

1袋(10個)

￥1,998 税込￥2,198

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BSC052N03LSATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 28 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm

1袋(25個)

￥3,598 税込￥3,958

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BSC050N04LSGATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 85 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET40 V 85 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

エコ商品

Infineon BSC050N04LS G OptiMOS 40 V は、サーバーやデスクトップなどの Switched Mode 電源( SMPS )の同期整流に最適です。さらに、これらのデバイスは、モータ制御、高速スイッチング DC-DC コンバータなど、幅広い産業用途に使用できます。最高レベルのシステム効率並列の必要性を軽減電力密度の向上システムコストの削減

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 57 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 20 V幅 6.35mm高さ 1.1mm RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥1,298 税込￥1,428

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BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 40 A 表面実装パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET100 V 40 A 表面実装パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン

エコ商品

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 0.015 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.1V1チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥1,998 税込￥2,198

5日以内出荷

IPZ40N04S53R1ATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 20 A 表面実装パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET40 V 20 A 表面実装パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン

エコ商品

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM) 5実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 0.0031 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.4V1チップ当たりのエレメント数 1 RoHS指令(10物質対応)対応

1セット(5000個)

￥289,800 税込￥318,780

5日以内出荷

BSC600N25NS3GATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm

1袋(5個)

￥2,998 税込￥3,298

5日以内出荷

IPG20N04S409ATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 20 A 表面実装パッケージSuperSO8 5 x 6 Dual 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET40 V 20 A 表面実装パッケージSuperSO8 5 x 6 Dual 8 ピン

エコ商品

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM) -T2実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 0.0086 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4Vトランジスタ素材シリコン RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥1,998 税込￥2,198

5日以内出荷

BSC093N04LSGATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 49 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET40 V 49 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

エコ商品

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 13.7 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 2.5 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥669 税込￥736

5日以内出荷

BSC22DN20NS3GATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 7 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET200 V 7 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン

エコ商品

Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 225 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 34 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.35mm動作温度 Min -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(20個)

￥2,798 税込￥3,078

5日以内出荷

SPA08N80C3XKSA1 Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 8 A スルーホールパッケージTO-220 FP 3 ピン INFINEON

INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET800 V 8 A スルーホールパッケージTO-220 FP 3 ピン

エコ商品

Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET

仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ CoolMOS(TM) C3実装タイプスルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.5 Ωチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 40 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V標準ゲートチャージ Vgs 45 nC 10 Vmm高さ 16.15mm RoHS指令(10物質対応)対応