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Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 13 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET100 V 13 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンINFINEON
149,800税込164,780
1セット(2000個)
7日以内出荷
PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 205 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 66 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 2.39mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEONInfineon Nチャンネル パワーMOSFETINFINEON
1,498税込1,648
1袋(5個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
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