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CY7C109B / CY7C1009B とピン及び機能の互換性があります。高速 tAA = 10 ns 低アクティブ電力 ICC = 80 mA @ 10 ns 低 CMOS スタンバイ電力 ISB2 = 3 mA 2.0 V Data 選択解除時に自動的に電源がオフになります。TTL互換の入出力 CE1 、CE2 、OE オプションを使用してメモリを簡単に拡張できます。CY7C109D は、鉛フリー 32 ピン 400-Mil ワイド成形 SOJ 及び 32 ピン TSOP I パッケージで提供されています。CY7C1009D は、鉛フリーの 32 ピン 300-Mil ワイド成形 SOJ パッケージで提供されています。
仕様メモリサイズ = 1Mbit、構成 = 128 k x 8ビット、ワード数 = 128k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 10ns、クロック周波数 = 100MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOJ、ピン数 = 32、寸法 = 0.83 x 0.305 x 0.11mm、高さ = 0.11mm、動作温度 Min = -40 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(750個)
379,800 税込417,780
5日以内出荷

強力なハーバードアーキテクチャプロセッサ 最大 24 MHz M8C プロセッサ速度 高速で低電力 動作電圧: 3.0 5.25 車載温度範囲: -40 C +85 C Advanced Peripherals PSoC ブロック アナログタイプ PSoC ブロック 個には、次の特長があります。 デジタル アナログコンバータ( DAC )搭載のコンパレータ 2 参照 最大 10 ビットシングル デュアル、 24 チャンネルのアナログ デジタル コンバータ( ADC 4 つのデジタル PSoC ブロックの特長: → 32 ビットのタイマ、カウンタ、及びパルス幅変調器 PWM 巡回冗長検査( CRC )および擬似ランダム シーケンス( PRS )モジュール 全二重又は半二重 UART SPI Master 又はスレーブです すべての汎用 I/O GPIO )ピンに接続可能です ブロックを組み合わせることで複雑なペリフェラルを実現 静電容量センシング用途に対応 柔軟性の高いオンチップメモリ KB のフラッシュプログラムストレージ 512 バイト SRAM データ格納 インシステムシリアルプログラミング( ISSP 部分的なフラッシュアップデート 柔軟な保護モード フラッシュでの EEPROM エミュレーション 開発ツール一式 無料の開発ソフトウェア( PSoC Designer ) 多機能のインサーキットエミュレータ( ICE )とプログラマ フルスピードエミュレーション 複雑なブレークポイント構造 128 KB のトレースメモリ 精密でプログラム可能なクロック周波数 5 24 MHz の発振器を内蔵 ウォッチドッグ及び用の低速、低消費電力の発振器を内蔵しています スリープ機能 オプションの外部発振器、最大 24 MHz プログラム可能なピン構成 すべての GPIO 25 mA シンク、 10 mA ドライブ プルアップ、プルダウン、高 、強、オープンドレイン駆動モード すべての GPIO すべての GPIO にアナログ入力を備えています すべての GPIO で設定可能な割り込み 多用途のアナログマルチプレクサ 共通内部アナログバス I/O の組み合わせの同時接続 その他のシステムリソース 内部集積回路( 2c )マスター、スレーブ、またはマルチマスター 最大動作周波数: 400 kHz ウォッチドッグタイマ及びスリープタイマです ユーザー設定可能な低電圧検出( LVD 監視回路を内蔵 オンチップ高精度基準電圧
仕様ファミリー名 = M8Cパッケージタイプ = SSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 20デバイスコア = PSoCデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 512 BPWMユニット数 = 2 x 8/32 bitSPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1高さ = 1.85mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(3個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 655361ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 10.26mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
499,800 税込549,780
5日以内出荷

仕様ファミリー名 = CY8C29パッケージタイプ = SSOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 28データバス幅 = 32bitプログラムメモリサイズ = 32 kB最大周波数 = 24MHzRAMサイズ = 2 kBUSBチャンネル = 1PWMユニット数 = 2 x 8/16 bitSPIチャンネル数 = 1UARTチャンネル数 = 1インストラクションセットアーキテクチャ = ハーバード RoHS指令(10物質対応)対応
1個
2,498 税込2,748
7日以内出荷

使用温度範囲 産業用: 40 85 C 車載用 -A : 40 85 C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA 10 ns 低アクティブ電力 ICC 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2 3 mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 k x 16 ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm高さ = 1.04mm幅 = 10.26mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(3個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 x 16 ビット●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 10ns●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 44●寸法: 18.51×10.26×1.04mm●高さ: 1.04mm●幅: 10.26mm●使用温度範囲 産業用:-40~85℃ 車載用 -A :-40~85℃ C CY7C1021CV33 とピン配置及び機能互換があります 高速 tAA: 10 ns 低アクティブ電力 ICC: 60 mA 10 ns CMOS スタンバイ電力 ISB2: mA Data Retention の略 選択解除時に自動的に電源がオフになります 速度 電力を最適化する CMOS 上下のビットを個別に制御 鉛フリーの 44 ピン 400-Mil ワイドモールド SOJ 44 ピン TSOP II 48 ボール VFBGA パッケージで提供されます RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(3個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1024kbit●構成: 128 x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 8bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-32●ピン数: 32●寸法: 8.1×11.9×1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 11.9mm●Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命- (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速: 45 ns 電圧範囲: 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 4096kbit●構成: 512 K x 8 ビット●ワード数: 512k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 8bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-32●ピン数: 32●寸法: 8.1 x 11.9 x 1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 11.9mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
689,800 税込758,780
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4096kbit、構成 = 512 K x 8 ビット、ワード数 = 512k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 45ns、アドレスバス幅 = 8bit、クロック周波数 = 1MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = TSOP-32、ピン数 = 32、寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm、高さ = 1.05mm、幅 = 11.9mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(1000個)
699,800 税込769,780
5日以内出荷

Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命 (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速: 45 ns 電圧範囲: 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります
仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 8bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-32ピン数 = 32寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 11.9mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(23個)
14,980 税込16,478
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512K x 8ワード数 = 512k1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,498 税込1,648
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128K x 8ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(234個)
69,980 税込76,978
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 512K x 8●ワード数: 512k●1ワード当たりのビット数: 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
989 税込1,088
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512K x 8ワード数 = 512k1ワード当たりのビット数 = 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
989 税込1,088
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 K x 16●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
969 税込1,066
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 K x 16ワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
969 税込1,066
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 256K x 16●ワード数: 256k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
819 税込901
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 K x 16ワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
679 税込747
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256K x 16ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(135個)
109,800 税込120,780
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128K x 8●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(234個)
69,980 税込76,978
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128K x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
719 税込791
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128K x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
719 税込791
7日以内出荷

1袋(2個)
2,598 税込2,858
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 K x 16●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
639 税込703
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256K x 16ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 16bit RoHS指令(10物質対応)対応
1個
819 税込901
5日以内出荷

Cypress Semiconductor CY7C1011DV33 は、 128 K ワード x 16 ビットに構成された高性能 CMOS 静的 RAM です。鉛フリーの標準 44 ピン TSOP II で提供され、センターパワーおよびアースピンアウト、 48 ボール超ファインピッチボールグリッドアレイ (VFBGA) パッケージを備えています。通常、高速は 10 ns です 低スタンバイ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります TTL互換の入出力
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 インチワード数 = 128K1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10ns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
339,800 税込373,780
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 15ns●クロック周波数: 104MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 16●寸法: 10.49×7.59×2.36mm●高さ: 2.36mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
5日以内出荷

仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 32k x 16ワード数 = 32k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 10.26mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,198 税込2,418
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 512kbit●構成: 32k x 16●ワード数: 32k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 10ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-44●ピン数: 44●寸法: 18.51 x 10.26 x 1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 10.26mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,198 税込2,418
7日以内出荷

Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
5日以内出荷

非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,198 税込3,518
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 55ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
3,198 税込3,518
5日以内出荷

仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128 K x 16 ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: VFBGA●ピン数: 48●寸法: 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max: 3.6 Vmm●幅: 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
7日以内出荷

仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
5日以内出荷

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