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エコ商品
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)200
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最小ゲートしきい値電圧(V)3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
最大パワー消費680W
1個
￥4,198
税込￥4,618
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)53
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ250nC@10V
最大パワー消費1.04kW
1個
￥6,898
税込￥7,588
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
シリーズHiperFET，Polar
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)61
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)85
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,798
税込￥5,278
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)115
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ185nC@10V
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,698
税込￥5,168
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
シリーズHiperFET
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)390
最大ゲートしきい値電圧(V)5.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費568000mW
1個
￥7,898
税込￥8,688
5日以内出荷
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