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IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.26×5.3×21.46
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
最大連続コレクタ電流(A)200
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200
最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20
チャンネルタイプN
トランジスタ構成シングル
スイッチングスピード50kHz
最大パワー消費1250W
1個
￥3,500
税込￥3,850
欠品中
1個
￥3,500
税込￥3,850
7日以内出荷
ULE72873.ねじ端子付きブリッジ整流器モジュール、VBO40シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)絶縁のパッケージ非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化
寸法(mm)38.3×25.07×9.6
高さ(mm)9.6
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプパネルマウント
ピーク逆繰返し電圧(V)800
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)320
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.15
ブリッジタイプ単相
1個
￥4,198
税込￥4,618
5日以内出荷
UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO160シリーズ、IXYS.ねじ止め端子付きパッケージ絶縁耐圧:3000Vrms低順方向電圧降下
幅(mm)54
寸法(mm)94×54×30
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプパネルマウント
ピーク平均順方向電流(A)175
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.65
ピーク非繰返し順方向サージ電流(kA)1.95
1個
￥9,698
税込￥10,668
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)132
最大ドレイン-ソース間電圧(V)500
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.89kW
1個
￥3,998
税込￥4,398
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3
シリーズHiperFET，Polar3
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)94
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費1.04kW
1個
￥1,998
税込￥2,198
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)24
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)400
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費650W
1個
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)53
最大ドレイン-ソース間電圧(V)800
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)140
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ250nC@10V
最大パワー消費1.04kW
1個
￥6,898
税込￥7,588
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)116×60×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2
定格平均オン電流(A)320
繰返しピーク順方向抑止電圧(V)1600
最大保持電流(mA)150
サージ電流レーティング(kA)9.8
1個
￥22,980
税込￥25,278
5日以内出荷
ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)3
ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シリーズ
整流方式汎用
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数2
最大順方向降下電圧(V)1.6
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)330
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
最大連続順方向電流(A)28
1個
￥899
税込￥989
5日以内出荷
ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式スイッチング
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)2.36
ピーク逆繰返し電圧(V)600
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200
最大連続順方向電流(A)30
ピーク逆回復時間(ns)35
1袋(2個)
￥3,698
税込￥4,068
5日以内出荷
ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)12
ダイオード(タイプ)整流器、(構成)絶縁型
整流方式スイッチング
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
1チップ当たりのエレメント数2
最大順方向降下電圧(V)1.1
ピーク逆繰返し電圧(V)200
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
最大連続順方向電流(A)123
ピーク逆回復時間(ns)50
ピーク非繰返し順方向サージ電流(kA)1.3
1個
￥4,998
税込￥5,498
5日以内出荷
ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式スイッチング
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.7
ピーク逆繰返し電圧(V)600
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)110
最大連続順方向電流(A)14
ピーク逆回復時間(ns)50
1袋(5個)
￥2,298
税込￥2,528
5日以内出荷
ローム整流ダイオード
長さ(mm)10.66
幅(mm)4.82
寸法(mm)10.66×4.82×16.51
高さ(mm)16.51
ピン数(ピン)2
ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-55、(Max)+175
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1袋(5個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式汎用
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.18
ピーク逆繰返し電圧(V)1600
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)520
最大連続順方向電流(A)48
1袋(5個)
￥3,898
税込￥4,288
5日以内出荷
UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO82シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)セラミック製パッケージ強化された温度及びパワーサイクリング非常に低い順方向電圧降下非常に低い漏洩電流
幅(mm)42
寸法(mm)72×42×30
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプパネルマウント
ピーク平均順方向電流(A)88
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)820
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.6
1個
￥5,798
税込￥6,378
5日以内出荷
仕様最大入力電流 = 1 mA (制御電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms特殊機能 = 350 Vp絶縁破壊電圧， 機械挿入可能， ウエーブはんだ付け可能
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様ダイオード構成：コモンアノード 、 1チップ当たりのエレメント数：2 、 ピーク逆繰返し電圧：1200V 、 実装タイプ：スクリュー マウント 、 パッケージタイプ：TO-240AA 、 ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション 、 ピン数：3 、 最大順方向降下電圧：2.64V 、 長さ：92mm 、 幅：20.8mm 、 高さ：30mm 、 ピーク逆回復時間：300ns 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 高速リカバリエピタキシャルダイオード(FRED)モジュール、IXYS. 低スイッチング損失 国際標準パッケージ
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥9,698
税込￥10,668
7日以内出荷
1個
￥4,198
税込￥4,618
5日以内出荷
1個
￥5,598
税込￥6,158
6日以内出荷
1個
￥4,798
税込￥5,278
7日以内出荷
1個
￥6,898
税込￥7,588
7日以内出荷
1個
￥4,498
税込￥4,948
7日以内出荷
1個
￥1,698
税込￥1,868
7日以内出荷
1個
￥3,698
税込￥4,068
6日以内出荷
1個
￥5,398
税込￥5,938
5日以内出荷
1個
￥3,798
税込￥4,178
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4
動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)200
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最小ゲートしきい値電圧(V)3
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
最大パワー消費680W
1個
￥4,198
税込￥4,618
5日以内出荷
UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30
タイプサイリスタ：SCRモジュール
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプパネルマウント
最大ゲートトリガー電流(mA)150
繰返しピーク逆方向電圧(V)1600
最大ゲートトリガー電圧(V)2.5
定格平均オン電流(A)116
繰返しピークオフステート電流(mA)5
最大保持電流(mA)200
サージ電流レーティング(kA)2.4
1個
￥6,898
税込￥7,588
5日以内出荷
UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け
寸法(mm)28.5×28.5×10
高さ(mm)10
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40
RoHS指令(10物質対応)対応
回路構成シングル
実装タイプスクリューマウント
ピーク逆繰返し電圧(V)1600
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600
ピーク逆電流(μA)300
テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション
ピーク順方向電圧(V)1.7
ブリッジタイプ3相
1個
￥2,398
税込￥2,638
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)9.6
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプスクリューマウント
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)115
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24
最大ゲートしきい値電圧(V)5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ185nC@10V
最大パワー消費700000mW
1個
￥4,698
税込￥5,168
5日以内出荷
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