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NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3 ピン数(ピン)3 動作温度(℃)(Min)-55 RoHS指令(10物質対応)対応 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)24 最大ドレイン-ソース間電圧(V)800 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)400 最大ゲートしきい値電圧(V)5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30 トランジスタ構成シングル 最大パワー消費650W
1個
1,398 税込1,538
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1個ほか
3,698 税込4,068
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