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Littelfuse 218シリーズSlo-Bloヒューズ5 x 20 mm. Littlefuse 218 シリーズのヒューズは、Slo Bloシリーズに属するタイムラグ、ガラス製のヒューズです。信頼性とコスト効果の高いこれらのデバイスは、家電製品や利用機器など、多くの用途における回路保護に最適です。 Littlefuse 218 カートリッジヒューズのシリーズには、さまざまなアンプ定格と遮断定格を用意しています。そのため、多様な用途に適合するヒューズを見つけることができます。 特長: さまざまな定格電流のタイプを用意 定格電圧: 250 V 世界標準を満たす RoHS対応 鉛フリー. ガラス製のヒューズを選択する理由 ガラス製のヒューズとセラミック製のヒューズは、同様の特性を備えています。ガラス製のヒューズを選択すれば、ヒューズの内側を確認できます。そのため、ヒューズが切れているかどうかを確認するのが簡単です。 どのようなサイズがありますか 標準的なカートリッジのサイズは5 x 20 mmで、長さ約20 mm、直径5 mmになります。これらはボードとパネルの保護に最適で、互換性のある5 x 20のヒューズホルダに適合します。 どのようなスピードですか 時間遅延ヒューズ又はスローブローヒューズとも呼ばれるタイムラグヒューズは、ヒューズが飛ぶ前に瞬時の電流スパイクを許容するように設計されています。この電流は、短時間ならヒューズの定格値を上回ることができます。

UL， CSA， PSE. 普通溶断型ヒューズ 233シリーズ. ガラス包装ヒューズ

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 49.9V。最小ブレークダウン電圧 = 34.2V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 = 30.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 30.5A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.3 Dia. x 9.5mm。テスト電流 = 1mA。1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.45V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-201。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 144.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。サージ電流レーティング = 200A。1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 59.3V。最小ブレークダウン電圧 = 40.9V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-204AC。最大逆スタンドオフ電圧 = 36.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 10.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 3.6 x 7.6mm。テスト電流 = 1mA。アキシャル双方向600 W TVSダイオード、P6KEシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 93.6V。最小ブレークダウン電圧 = 64.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 58V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 6.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。SMT双方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.237mm。幅 = 3.94mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 69.4V。最小ブレークダウン電圧 = 47.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 43V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 8.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.237mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.5V。最小ブレークダウン電圧 = 44.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 40V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 9.3A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.75 x 3.94 x 2.41mm。テスト電流 = 1mA。SMBJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 uA未満(12 Vを超える場合) 基板スペースを最大限に活用するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 ウィスカ試験 組み込みのストレインリリーフ 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) ピークパルス容量600 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % 標準最大温度係数ΔVBR = 0.1 % x VBR @ 25 ℃ x ΔT ガラス不動態化チップジャンクション はんだ付けに対する耐熱性を保証: 端子で260 ℃/40秒 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 25.9A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.41mm。幅 = 6.22mm。Littelfuseは、半導体を過渡電圧による損傷から保護するための過渡電圧抑制(TVS)ダイオードに特化した企業です。低インクリメンタルサージ抵抗 単方向 / 双方向極性タイプを用意 逆スタンドオフ電圧範囲: 5 →495 V ピーク電力定格: 400 W → 30 kW 高電流保護: 1 kA、3 kA、6 kA、10 kA、15 kASMCJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ハロゲンフリー 基板スペースを最適化するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 組み込みのストレインリリーフ ガラス不動態化ジャンクション 低インダクタンス 優れたクランプ機能 繰り返し率(デューティサイクル): 0.05 % 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → V(BR)min標準 標準IR: 1 mA未満(10 Vを超える場合) 高温はんだ付け: 端子で250 ℃ / 10秒

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 10.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 31A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。SMT双方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 45.4V。最小ブレークダウン電圧 = 31.1V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 28V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 13.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 16.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。SMT双方向400 W TVSダイオード、SMAJシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 19.9V。最小ブレークダウン電圧 = 13.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 12V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 30.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.237mm。幅 = 3.94mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 162V。最小ブレークダウン電圧 = 111V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 100V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 3.7A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.237mm。高さ = 2.237mm。TVSダイオードSMT双方向600 W、SMBJシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 96.8V。最小ブレークダウン電圧 = 66.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 60V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 6.2A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.75 x 3.94 x 2.41mm。テスト電流 = 1mA

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 19.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.417mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 64.5V。最小ブレークダウン電圧 = 44.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 40V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 9.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。SMT単方向600 W TVSダイオード、SMBJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 28.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 11.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.237mm。幅 = 3.94mm。SMT単方向600 W TVSダイオード、SMBJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 38.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 29.2V。最小ブレークダウン電圧 = 20V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 18V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.237mm。テスト電流 = 1mA。SMT単方向600 W TVSダイオード、SMBJシリーズ、Littelfuse

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 24.4V。最小ブレークダウン電圧 = 16.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 15V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 61.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.417mm。高さ = 2.417mm。SMT単方向1500 W TVSダイオード、SMCJシリーズ、Littelfuse

定格平均オン電流 = 12A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 100A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 40mA。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。長さ = 10.28mm。幅 = 4.82mm。高さ = 15.75mm。繰返しピークオフステート電流 = 2mA。トライアック、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 12A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 105A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.7V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 800V。最大保持電流 = 50mA。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。長さ = 10.28mm。幅 = 4.82mm。高さ = 15.75mm。ピークオンステージ電圧 = 1.55V。トライアック、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-225。最大ゲートトリガー電流 = 5mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 30A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 7.74 x 2.66 x 11.04mm。長さ = 7.74mm。幅 = 2.66mm。高さ = 11.04mm。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。トライアック、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-225。最大ゲートトリガー電流 = 30mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 400V。サージ電流レーティング = 30A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 400V。最大保持電流 = 30mA。寸法 = 7.74 x 2.66 x 11.04mm。長さ = 7.74mm。幅 = 2.66mm。高さ = 11.04mm。繰返しピークオフステート電流 = 2mA。トライアック、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 2.55A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-225。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 20A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 0.2mA。最大ゲートトリガー電圧 = 0.8V。最大保持電流 = 3mA。ピン数 = 3。寸法 = 7.74 x 2.66 x 11.04mm。動作温度 Max = +110 ℃V。位相制御サイリスタ、ON Semiconductor

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-220AB。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 250A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 30mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。最大保持電流 = 40mA。ピン数 = 3。寸法 = 10.28 x 4.82 x 9.28mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 800V。位相制御サイリスタ、ON Semiconductor

サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 35A。実装タイプ = 表面実装。最大ゲートトリガー電流 = 300μA。最大ゲートトリガー電圧 = 1V。最大保持電流 = 10mA。ピン数 = 3。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 18V。位相制御サイリスタ、ON Semiconductor

サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-220。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 250A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 75mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.5V。最大保持電流 = 80mA。ピン数 = 3。寸法 = 10.28 x 4.82 x 15.75mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 800V。位相制御サイリスタ、ON Semiconductor

動作電流 2.7A。定格電圧 30V dc。動作時間 7.3s。保持電流 1.35A。電流 Max 100 A。長さ 8.9mm。高さ 13.5mm。幅 3mm。最小抵抗 0.04Ω。最大抵抗 130mΩ。電力損失 0.8W。リード方向 ラジアル。PolySwitch RUEF、RGEFシリーズ

動作電流 1.8A。定格電圧 30V dc。動作時間 5.9s。保持電流 0.9A。電流 Max 100 A。長さ 7.4mm。高さ 12.2mm。幅 3mm。最小抵抗 0.07Ω。最大抵抗 220mΩ。電力損失 0.6W。リード方向 ラジアル。PolySwitch RUEF、RGEFシリーズ

動作電流 500mA。定格電圧 72V。動作時間 2.5s。保持電流 0.25A。電流 Max 40 A。長さ 7.4mm。高さ 12.7mm。幅 3mm。最小抵抗 1.25Ω。最大抵抗 3Ω。電力損失 0.45W。リード方向 ラジアル。PolySwitch XE シリーズ. PolySwitch XE は、低保持電流(50mA以下 )と高定格電圧(最大 72V )のデバイスに対応します。通常、プリンタ、衛星ビデオ受信機、産業用制御装置、変圧器、コンピュータのマザーボード、モデム、USBハブ、ポートと周辺機器、ゲーム機、電話、ファックス、アナログとデジタル回線カードの用途に使われています。. 定格電流： 50 15 定格電圧: V 99 V(コンピュータや電子用途) 高速トリップ 低抵抗 RoHS 対応 ハロゲンフリー

動作電流 = 2.2A。定格電圧 = 8V dc。動作時間 = 0.3s。保持電流 = 1.1A。電流 Max = 100 A。長さ = 4.73mm。高さ = 0.62mm。幅 = 3.41mm。最小抵抗 = 0.04Ω。最大抵抗 = 210mΩ。電力損失 = 1.2W。動作温度 Max = +85℃。動作温度範囲 = 最大+85 ℃mm。ポリスイッチミニSMDCシリーズ. TE PolySwitch miniSMDシリーズの表面実装デバイスは、コンピュータ / 消費者製品 / マルチメディア / 携帯機器 / 車載電子機器の回路を保護するための効果的なデバイスです。. ハロゲンフリー 定格電流: 0.05 → 3 A 電圧定格: 6 Vのコンピュータやエレクトロニクス用途から、60 Vの電気通信用途まで 小型設計 高速のトリップ時間 低抵抗 RoHS対応

動作電流 800mA。定格電圧 72V。動作時間 3.8s。保持電流 0.4A。電流 Max 40 A。長さ 7.6mm。高さ 13.5mm。幅 3mm。最小抵抗 0.55Ω。最大抵抗 1.29Ω。電力損失 0.56W。リード方向 ラジアル。PolySwitch XE シリーズ. PolySwitch XE は、低保持電流(50mA以下 )と高定格電圧(最大 72V )のデバイスに対応します。通常、プリンタ、衛星ビデオ受信機、産業用制御装置、変圧器、コンピュータのマザーボード、モデム、USBハブ、ポートと周辺機器、ゲーム機、電話、ファックス、アナログとデジタル回線カードの用途に使われています。. 定格電流： 50 15 定格電圧: V 99 V(コンピュータや電子用途) 高速トリップ 低抵抗 RoHS 対応 ハロゲンフリー

動作電流 400mA。定格電圧 72V。動作時間 2.2s。保持電流 0.2A。電流 Max 40 A。長さ 7.4mm。高さ 11.7mm。幅 3mm。最小抵抗 1.83Ω。最大抵抗 4.4Ω。電力損失 0.41W。リード方向 ラジアル。PolySwitch XE シリーズ. PolySwitch XE は、低保持電流(50mA以下 )と高定格電圧(最大 72V )のデバイスに対応します。通常、プリンタ、衛星ビデオ受信機、産業用制御装置、変圧器、コンピュータのマザーボード、モデム、USBハブ、ポートと周辺機器、ゲーム機、電話、ファックス、アナログとデジタル回線カードの用途に使われています。. 定格電流： 50 15 定格電圧: V 99 V(コンピュータや電子用途) 高速トリップ 低抵抗 RoHS 対応 ハロゲンフリー