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MIC94060-63は、1.7 → 5.5 Vの範囲で動作するように設計されたハイサイド負荷スイッチです。このデバイスは低オン抵抗のPチャンネルMOSFETを備えており、2 Aを超える連続負荷電流に対応します。MIC94061及びMIC94063は、メインスイッチがOFF状態のときに、容量負荷が帯電されないように、アクティブな負荷放電回路を備えています。MIC94060-61は迅速な電源投入が可能です。MIC94062-63は、スルーレート制御の800 μs (標準)のソフトスタート電源投入により、電源レールの故障時に突入電流を防ぎます。イネーブル入力時のアクティブなプルダウンにより、MIC94060-63は、ENピンが高レベルに引き上げられるまで、デフォルトのOFF状態を維持します。入力電圧範囲: 1.7 → 5.5 V 動作電流: 2A (連続) 77 mΩ (標準) RON 制御ロジックに対応するレベルシフト内蔵、1.5 Vのロジックで動作できます。 2 μAの低静止電流 ソフトスタート: MIC94062-63 マイクロパワーシャットダウン:< 1 μA 負荷放電回路: MIC94061、MIC94063
仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドオン抵抗 = 215mΩチャンネル数 = 1動作供給電圧 Max = 5.5 V最大動作電流 = 2 (Continuous)A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-70ピン数 = 6動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mmシリーズ = MIC94063 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,898 税込3,188
7日以内出荷

LM2576シリーズのモノリシック集積回路は、ステップダウン(バック)スイッチングレギュレータのあらゆるアクティブ機能を提供します。固定タイプは、出力が3.3 V、5 V、12 Vに固定されています。可変タイプは、出力電圧範囲が1.23~37 Vとなっています。どちらのタイプも、優れたライン / 負荷調整により3 Aの負荷を駆動することができます。その他の特長: 3.3 V、5 V、12 V、及び出力調整可能なバージョン 指定ライン / 負荷条件を超える電圧: 固定バージョン: 最大出力電圧±3 % 調整可能なバージョン: 最大フィードバック電圧±2 % 出力電流3 Aを保証 広い入力電圧範囲: 4 → 40 V 広い出力電圧範囲: 1.23 → 37 V 4つの外付け部品のみが必要 52 kHz固定周波数発振器を内蔵 低消費電力スタンバイモードIQ: <200 μA (標準) 80 %の効率(調整可能なバージョンは通常 > 80 %) 入手しやすい標準インダクタを使用 サーマルシャットダウン及び電流制限保護 100 %電気熱制限バーンイン
仕様出力電流 Max = 3A出力電圧 Max = 37 V出力電圧 Min = 1.23 V入力電圧 Min = 4 V入力電圧 Max = 40 V出力タイプ = 可変実装タイプ = スルーホール出力数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = TO-220スイッチングレギュレータ = あり高さ = 14.68mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
11,980 税込13,178
5日以内出荷

USB251xB USB251xBi USB 2.0ハブコントローラ. Microchip USB251xB USB251xBiファミリのデバイスは、USB 2.0ハブコントローラです。 これらのデバイスは、アクティブなダウンストリーム接続数にかかわらず、一定のFull-Speedデータスループットを維持するために、ポートごとに専用のトランザクショントランスレータ(TT)を組み込むMultiTRAK技術を採用しています。 USB251xB USB251xBiデバイスは、基板レイアウトを簡素化できるように、全面的にカスタマイズ可能です。 PortMap、PortSwap、PHYBoostのどの機能も、これらのデバイスの柔軟性に寄与します。 あらゆるダウンストリームポートでHi-Speed (480 Mbps)、Full-Speed (12 Mbps)、Low-Speed (1.5 Mbps)の各USB通信、及びUSBバッテリ充電仕様(Rev. 1.1)に対応します。. 特長. 高性能、低消費電力、小型フットプリントハブコントローラIC USB 2.0仕様に完全準拠 チャージングダウンストリームポート(CDP)に関するUSBバッテリ充電仕様Rev. 1.1に対応 / / 4ダウンストリームポートのタイプを用意 MultiTRAK ポートにつき1つの高性能トランザクショントランスレータを装備 PortMap 柔軟性の高いポートマッピング及びシーケンシングの無効化 PortSwap USB信号ラインをコネクタ配列に直接合わせるためにUSB差動ペアピンの位置をプログラム可能 PHYBoost 信号品質の復元用のUSB信号駆動強度をプログラム可能 各ダウンストリームポートの個別又は連結電力制御 USB251x USB251xAデバイスの完全互換品
仕様トランシーバ数 = 1データレート = 480Mbpsインターフェース = トランシーバIC電源タイプ = 単一電源ESD保護 = あり標準シングル供給電圧 = 3.3 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = QFNピン数 = 36寸法 = 6.15 x 6.15 x 0.95mm高さ = 0.95mm長さ = 6.15mm動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
669 税込736
5日以内出荷

SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI)インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。Microchip製のSQIインターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ - ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 - アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
仕様メモリサイズ = 32Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIJピン数 = 8構成 = 4 M x 8ビット実装タイプ = 表面実装セルタイプ = スプリットゲート動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 3.6 Vブロック構成 = 対称長さ = 5.26mm高さ = 1.98mm幅 = 5.25mm寸法 = 5.26 x 5.25 x 1.98mm最大ランダムアクセス時間 = 3ns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
31,980 税込35,178
7日以内出荷

PIC24FJxxxGA / GB406 / 410 / 412 16ビットフラッシュマイクロコントローラ. Microchip PIC24FJxxxGA / GB406 / 410 / 412ファミリのマイクロコントローラは多様なペリフェラルを使用できる16ビットデバイスで、セキュアなデータ転送と保管を必要とする用途に適しています。 オンボードの暗号化エンジン、eXtreme低電力(XLP)機能、LCDディスプレイコントローラUSB On-The-Goなどを特長としています。 ライブアップデート機能を備えたデュアルパーティションフラッシュは、特に注目する必要があります。これにより、MCUは2つの独立したソフトウェアアプリケーション(ブートローダーを含む)を保持できます。 さらに、この機能を使用することで、1つのパーティションをプログラムしながら、他のパーティションで別のアプリケーションコードを実行できるようになります。. CPUの特長. モディファイドハーバードアーキテクチャ 最高動作速度: 16 MIPS @ 32 MHz 17ビット x 17ビット単一サイクルのハードウェア分数 / 整数乗算器 32ビット x 16ビットのハードウェア除算器 16 x 16ビットの作業レジスタアレイ. 暗号化エンジン機能. CPUの介入なしでNIST標準暗号化 / 復号化操作を実行 128、192、256ビットに対するAES暗号化サポート DES / 3DES暗号化サポート ECB、CBC、OFB、CTR、CFB128モードをサポート プログラム的に安全なOTPアレイでキーストレージ 真の乱数発生 バッテリバックアップRAMキーストレージ. デュアルパーティションフラッシュ機能. ブートローダーを含む、2つの独立したソフトウェアアプリケーションを保持可能 1つのパーティションのプログラムと同時に、他のパーティションで別のアプリケーションコードの実行が可能 アクティブパーティションの間でのランタイム切り替えが可能. eXtreme低消費電力(XLP)機能. 複数の電源管理オプション 低クロック速度へのオンザフライスイッチングに対応する代替クロックモード ディープスリープ時に超低電流消費: WDT 650 nA @ 2 V(代表値)、RTCC 650 nA @ 32 kHz 2 V(代表値)、ディープスリープ電流、60 nA(代表値) 実行モード: 160 μA/MHz. 周辺機能. 10 / 12ビット200 / 500 ksps A/Dコンバータ(ADC) 16又は24チャンネル 10ビット 1 Msps D/Aコンバータ(DAC) 3個の拡張型アナログコンパレータ 静電容量型タッチセンサ用の充電時間測定ユニット(CTMU) LCDディスプレイコントローラ 最高5個の外部割り込みソース ペリフェラルピン選択(PPS) 6チャンネルのダイレクトメモリアクセス(DMA) 5つの16ビットタイマ / カウンタ(プリスケーラ付き) - 32ビットタイマ / カウンタとペアリングが可能 6個の入力キャプチャモジュール(それぞれ専用の16ビットタイマを搭載) 6個の出力比較 / PWMモジュール(それぞれ専用の16ビットタイマを搭載) 4個のシングル出力CCP (SCCP)及び3個のマルチ出力CCP (MCCP)モジュール 拡張型パラレルマスタ / スレーブポート(EPMP / EPSP) ハードウェアリアルタイムクロック及びカレンダー(RTCC) USB v2.0 On-The-Go (OTG)準拠モジュール 4個の3線 / 4線SPIモジュール 3個のI2Cモジュール 6個のUARTモジュール プログラム可能な32ビット巡回冗長検査(CRC)発生器 4個の設定可能なロジックセル(CLC)
仕様ファミリー名 = PIC24Fパッケージタイプ = TQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 100デバイスコア = PIC24F CPUデータバス幅 = 16bitプログラムメモリサイズ = 256 kB最大周波数 = 32MHzRAMサイズ = 16 kBUSBチャンネル = 1PWMユニット数 = 2SPIチャンネル数 = 4USARTチャネルの数 = 0最大イーサネットチャンネル数 = 0mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(119個)
139,800 税込153,780
7日以内出荷

PIC24FJxxxGA GB406 410 412 16ビットフラッシュマイクロコントローラ. Microchip PIC24FJxxxGA GB406 410 412ファミリのマイクロコントローラは多様なペリフェラルを使用できる16ビットデバイスで、セキュアなデータ転送と保管を必要とする用途に適しています。オンボードの暗号化エンジン、eXtreme低電力(XLP)機能、LCDディスプレイコントローラUSB On-The-Goなどを特長としています。ライブアップデート機能を備えたデュアルパーティションフラッシュは、特に注目する必要があります。これにより、MCUは2つの独立したソフトウェアアプリケーション(ブートローダーを含む)を保持できます。さらに、この機能を使用することで、1つのパーティションをプログラムしながら、他のパーティションで別のアプリケーションコードを実行できるようになります。CPUの特長. モディファイドハーバードアーキテクチャ 最高動作速度: 16 MIPS 32 MHz 17ビット 17ビット単一サイクルのハードウェア分数 整数乗算器 32ビット 16ビットのハードウェア除算器 16 16ビットの作業レジスタアレイ. 暗号化エンジン機能. CPUの介入なしでNIST標準暗号化 復号化操作を実行 128、192、256ビットに対するAES暗号化サポート DES 3DES暗号化サポート ECB、CBC、OFB、CTR、CFB128モードをサポート プログラム的に安全なOTPアレイでキーストレージ 真の乱数発生 バッテリバックアップRAMキーストレージ. デュアルパーティションフラッシュ機能. ブートローダーを含む、2つの独立したソフトウェアアプリケーションを保持可能 1つのパーティションのプログラムと同時に、他のパーティションで別のアプリケーションコードの実行が可能 アクティブパーティションの間でのランタイム切り替えが可能. eXtreme低消費電力(XLP)機能. 複数の電源管理オプション 低クロック速度へのオンザフライスイッチングに対応する代替クロックモード ディープスリープ時に超低電流消費: WDT 650 nA 2 V(代表値)、RTCC 650 nA 32 kHz V(代表値)、ディープスリープ電流、60 nA(代表値) 実行モード: 160 μA/MHz. 周辺機能. 10 12ビット200 500 ksps A/Dコンバータ(ADC) 16又は24チャンネル 10ビット Msps D/Aコンバータ(DAC) 3個の拡張型アナログコンパレータ 静電容量型タッチセンサ用の充電時間測定ユニット(CTMU) LCDディスプレイコントローラ 最高5個の外部割り込みソース ペリフェラルピン選択(PPS) 6チャンネルのダイレクトメモリアクセス(DMA) 5つの16ビットタイマ カウンタ(プリスケーラ付き) 32ビットタイマ カウンタとペアリングが可能 6個の入力キャプチャモジュール(それぞれ専用の16ビットタイマを搭載) 6個の出力比較 PWMモジュール(それぞれ専用の16ビットタイマを搭載) 4個のシングル出力CCP (SCCP)及び3個のマルチ出力CCP (MCCP)モジュール 拡張型パラレルマスタ スレーブポート(EPMP EPSP) ハードウェアリアルタイムクロック及びカレンダー(RTCC) USB v2.0 On-The-Go (OTG)準拠モジュール 4個の3線 4線SPIモジュール 3個のI2Cモジュール 6個のUARTモジュール プログラム可能な32ビット巡回冗長検査(CRC)発生器 4個の設定可能なロジックセル(CLC)
仕様ファミリー名 = PIC24Fパッケージタイプ = QFN実装タイプ = 表面実装ピン数 = 64デバイスコア = PIC24F CPUデータバス幅 = 16bitプログラムメモリサイズ = 256 kB最大周波数 = 32MHzRAMサイズ = 16 kBUSBチャンネル = 1PWMユニット数 = 2SPIチャンネル数 = 4USARTチャネルの数 = 0LINチャネルの数 = 0 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(40個)
38,980 税込42,878
7日以内出荷

仕様●管理数: 1●ウォッチドッグタイマー: あり●手動リセット: あり●パワーフェイル検出: あり●出力ドライバ: アクティブ ハイ, アクティブ ロー, オープンドレイン, プッシュプル●最大リセットアクティブ時間: 1000ms●パッケージタイプ: PDIP●ピン数: 8●寸法: 10.16×6.6×4.06mm●最大リセット閾値電圧: 4.49 V, 4.74V●動作供給電圧 Max: 5.5 V●動作温度 Max: +70 ℃V●TC1232マイクロプロセッサ監視回路 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

仕様●管理数: 1●ウォッチドッグタイマー: あり●手動リセット: あり●パワーフェイル検出: あり●出力ドライバ: アクティブ ハイ, アクティブ ロー, オープンドレイン, プッシュプル●実装タイプ: 表面実装ms●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 8●寸法: 4.9×3.91×1.42mm●最大リセット閾値電圧: 4.74V●動作供給電圧 Max: 5.5 V●動作供給電圧 Min: 4 VV●TC1232マイクロプロセッサ監視回路 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様MCP9501/2/3/4温度スイッチ. MCP9501/2/3/4シリーズの温度スイッチは、工場出荷時に設定された温度しきい値、選択可能なスイッチヒステリシスの他、温度アラーム、サーモスタット制御、ファン制御、車載用途、基地局、電源の臨界温度シャットダウンに使用する多様な出力設定を備えています。 MCP9501: 高温に適したアクティブロー、オープンドレイン出力を備えています。 MCP9502: 高温に適したアクティブハイ、プッシュプル出力を備えています。 MCP9503: 低温に適したアクティブロー、オープンドレイン出力を備えています。 MCP9504: 低温に適したアクティブハイ、プッシュプル出力を備えています。
1リール(3000個)
279,800 税込307,780
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)

1セット(3000個)
369,800 税込406,780
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (4種類の商品があります)

仕様●管理数: 1●出力ドライバ: アクティブ ロー, プッシュプル●実装タイプ: 表面実装ms●パッケージタイプ: SC-70●ピン数: 3●寸法: 2.25×1.35×1mm●最大リセット閾値電圧: 2.7V●動作供給電圧 Max: 5.5 V●動作温度 Max: +125 ℃V●MIC809マイクロプロセッサ監視回路 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
999 税込1,099
7日以内出荷

仕様●管理数: 1●手動リセット: あり●出力ドライバ: アクティブ ロー, オープンドレイン●実装タイプ: 表面実装ms●パッケージタイプ: SOT-143●ピン数: 4●寸法: 2.92×1.3×0.9mm●動作供給電圧 Max: 5.5 V●動作温度 Min: -40 ℃●MIC6315マイクロプロセッサ監視及びリセット回路 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
889 税込978
7日以内出荷

1セット(15個)ほか
1,498 税込1,648
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (2種類の商品があります)



仕様●メモリサイズ : 2kbit●インターフェースタイプ : シリアル-2 ワイヤー, シリアル-I2C●パッケージタイプ : DIP●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 8●構成 : 256 x 8ビット●動作供給電圧 Min : 4.5 V●動作供給電圧 Max : 5.5 V●プログラミング電圧 : 4.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 : 8bit●寸法 : 9.27 x 6.35 x 3.3mm●動作温度 Min : 0 ℃年●Microchip 24C02C シリーズは● 4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作する 2 K ビットシリアル EEPROM で●最大スタンバイ電流及び最大アクティブ電流は 5 μ A です。8個までのデバイスをカスケード接続可能 シュミットトリガ入力によるノイズ抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 工場プログラミング可 鉛フリー● RoHS 適合 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(60個)
4,298 税込4,728
7日以内出荷

1セット(67個)ほか
11,980 税込13,178
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (4種類の商品があります)

1袋(25個)ほか
2,198 税込2,418
7日以内出荷
バリエーション一覧へ (3種類の商品があります)

仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷


仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(11個)
5,998 税込6,598
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
9,898 税込10,888
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
889 税込978
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:4Mbit、インターフェースタイプ:パラレル、パッケージタイプ:PLCC、ピン数:32、構成:512 K x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:4.5 V、動作供給電圧 Max:5.5 V、長さ:11.43mm、高さ:2.79mm、幅:13.97mm、寸法:11.43 x 13.97 x 2.79mm、ワード数:512K、SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは、パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性ー100,000回(標準) 低消費電力 - アクティブ電流10 mA、スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 → 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間ー14 μs(標準) チップ書換え時間ーSST39SF010A 2秒、SST39SF020A 4秒、SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込みー内部VPP生成 End-of-Write検出ートグルビットーデータ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格ーフラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセット RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
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仕様●トランシーバ数: 1●データレート: 480Mbps●インターフェース: コントローラIC●電源タイプ: 単一電源●ESD保護: あり●標準シングル供給電圧: 3.3 V●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: QFN●ピン数: 36●寸法: 6.15×6.15×0.95mm●高さ: 0.95mm●長さ: 6.15mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作温度 Min: -40 ℃●USB251xB / USB251xBi USB 2.0ハブコントローラ. Microchip USB251xB / USB251xBiファミリのデバイスは、USB 2.0ハブコントローラです。 これらのデバイスは、アクティブなダウンストリーム接続数にかかわらず、一定のFull-Speedデータスループットを維持するために、ポートごとに専用のトランザクショントランスレータ(TT)を組み込むMultiTRAK(TM)技術を採用しています。 USB251xB / USB251xBiデバイスは、基板レイアウトを簡素化できるように、全面的にカスタマイズ可能です。 PortMap、PortSwap、PHYBoostのどの機能も、これらのデバイスの柔軟性に寄与します。 あらゆるダウンストリームポートでHi-Speed (480 Mbps)、Full-Speed (12 Mbps)、Low-Speed (1.5 Mbps)の各USB通信、及びUSBバッテリ充電仕様(Rev. 1.1)に対応します。. 特長. 高性能、低消費電力、小型フットプリントハブコントローラIC USB 2.0仕様に完全準拠 チャージングダウンストリームポート(CDP)に関するUSBバッテリ充電仕様Rev. 1.1に対応 2 / 3 / 4ダウンストリームポートのタイプを用意 MultiTRAK(TM) - ポートにつき1つの高性能トランザクショントランスレータを装備 PortMap(TM) 柔軟性の高いポートマッピング及びシーケンシングの無効化 PortSwap(TM) USB信号ラインをコネクタ配列に直接合わせるためにUSB差動ペアピンの位置をプログラム可能 PHYBoost - 信号品質の復元用のUSB信号駆動強度をプログラム可能 各ダウンストリームポートの個別又は連結電力制御 USB251x / USB251xAデバイスの完全互換品 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,598 税込2,858
7日以内出荷

仕様●トランシーバ数: 1●データレート: 480Mbps●インターフェース: コントローラIC●電源タイプ: 単一電源●ESD保護: あり●標準シングル供給電圧: 3.3 V●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: QFN●ピン数: 36●寸法: 6.15×6.15×0.95mm●高さ: 0.95mm●長さ: 6.15mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作温度 Min: -40 ℃mm●USB251xB / USB251xBi USB 2.0ハブコントローラ. Microchip USB251xB / USB251xBiファミリのデバイスは、USB 2.0ハブコントローラです。 これらのデバイスは、アクティブなダウンストリーム接続数にかかわらず、一定のFull-Speedデータスループットを維持するために、ポートごとに専用のトランザクショントランスレータ(TT)を組み込むMultiTRAK(TM)技術を採用しています。 USB251xB / USB251xBiデバイスは、基板レイアウトを簡素化できるように、全面的にカスタマイズ可能です。 PortMap、PortSwap、PHYBoostのどの機能も、これらのデバイスの柔軟性に寄与します。 あらゆるダウンストリームポートでHi-Speed (480 Mbps)、Full-Speed (12 Mbps)、Low-Speed (1.5 Mbps)の各USB通信、及びUSBバッテリ充電仕様(Rev. 1.1)に対応します。. 特長. 高性能、低消費電力、小型フットプリントハブコントローラIC USB 2.0仕様に完全準拠 チャージングダウンストリームポート(CDP)に関するUSBバッテリ充電仕様Rev. 1.1に対応 2 / 3 / 4ダウンストリームポートのタイプを用意 MultiTRAK(TM) - ポートにつき1つの高性能トランザクショントランスレータを装備 PortMap(TM) 柔軟性の高いポートマッピング及びシーケンシングの無効化 PortSwap(TM) USB信号ラインをコネクタ配列に直接合わせるためにUSB差動ペアピンの位置をプログラム可能 PHYBoost - 信号品質の復元用のUSB信号駆動強度をプログラム可能 各ダウンストリームポートの個別又は連結電力制御 USB251x / USB251xAデバイスの完全互換品 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(490個)
269,800 税込296,780
7日以内出荷

仕様●トランシーバ数: 1●データレート: 480Mbps●インターフェース: トランシーバIC●電源タイプ: 単一電源●ESD保護: あり●標準シングル供給電圧: 3.3 V●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: QFN●ピン数: 36●寸法: 6.15×6.15×0.95mm●高さ: 0.95mm●長さ: 6.15mm●動作温度 Max: +85 ℃●幅: 6.15mm●USB251xB / USB251xBi USB 2.0ハブコントローラ. Microchip USB251xB / USB251xBiファミリのデバイスは、USB 2.0ハブコントローラです。 これらのデバイスは、アクティブなダウンストリーム接続数にかかわらず、一定のFull-Speedデータスループットを維持するために、ポートごとに専用のトランザクショントランスレータ(TT)を組み込むMultiTRAK(TM)技術を採用しています。 USB251xB / USB251xBiデバイスは、基板レイアウトを簡素化できるように、全面的にカスタマイズ可能です。 PortMap、PortSwap、PHYBoostのどの機能も、これらのデバイスの柔軟性に寄与します。 あらゆるダウンストリームポートでHi-Speed (480 Mbps)、Full-Speed (12 Mbps)、Low-Speed (1.5 Mbps)の各USB通信、及びUSBバッテリ充電仕様(Rev. 1.1)に対応します。. 特長. 高性能、低消費電力、小型フットプリントハブコントローラIC USB 2.0仕様に完全準拠 チャージングダウンストリームポート(CDP)に関するUSBバッテリ充電仕様Rev. 1.1に対応 2 / 3 / 4ダウンストリームポートのタイプを用意 MultiTRAK(TM) - ポートにつき1つの高性能トランザクショントランスレータを装備 PortMap(TM) 柔軟性の高いポートマッピング及びシーケンシングの無効化 PortSwap(TM) USB信号ラインをコネクタ配列に直接合わせるためにUSB差動ペアピンの位置をプログラム可能 PHYBoost - 信号品質の復元用のUSB信号駆動強度をプログラム可能 各ダウンストリームポートの個別又は連結電力制御 USB251x / USB251xAデバイスの完全互換品 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
979 税込1,077
7日以内出荷



仕様●トランシーバ数: 1●データレート: 480Mbps●インターフェース: トランシーバIC●電源タイプ: 単一電源●ESD保護: あり●標準シングル供給電圧: 3.3 V●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: QFN●ピン数: 36●寸法: 6.15×6.15×0.95mm●高さ: 0.95mm●長さ: 6.15mm●動作温度 Max: +85 ℃●動作温度 Min: 0 ℃●USB251xB / USB251xBi USB 2.0ハブコントローラ. Microchip USB251xB / USB251xBiファミリのデバイスは、USB 2.0ハブコントローラです。 これらのデバイスは、アクティブなダウンストリーム接続数にかかわらず、一定のFull-Speedデータスループットを維持するために、ポートごとに専用のトランザクショントランスレータ(TT)を組み込むMultiTRAK(TM)技術を採用しています。 USB251xB / USB251xBiデバイスは、基板レイアウトを簡素化できるように、全面的にカスタマイズ可能です。 PortMap、PortSwap、PHYBoostのどの機能も、これらのデバイスの柔軟性に寄与します。 あらゆるダウンストリームポートでHi-Speed (480 Mbps)、Full-Speed (12 Mbps)、Low-Speed (1.5 Mbps)の各USB通信、及びUSBバッテリ充電仕様(Rev. 1.1)に対応します。. 特長. 高性能、低消費電力、小型フットプリントハブコントローラIC USB 2.0仕様に完全準拠 チャージングダウンストリームポート(CDP)に関するUSBバッテリ充電仕様Rev. 1.1に対応 2 / 3 / 4ダウンストリームポートのタイプを用意 MultiTRAK(TM) - ポートにつき1つの高性能トランザクショントランスレータを装備 PortMap(TM) 柔軟性の高いポートマッピング及びシーケンシングの無効化 PortSwap(TM) USB信号ラインをコネクタ配列に直接合わせるためにUSB差動ペアピンの位置をプログラム可能 PHYBoost - 信号品質の復元用のUSB信号駆動強度をプログラム可能 各ダウンストリームポートの個別又は連結電力制御 USB251x / USB251xAデバイスの完全互換品 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,898 税込2,088
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仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:8mm 、 寸法:6 x 8 x 0.8mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI )インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
299,800 税込329,780
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit インターフェースタイプ:SPI パッケージタイプ:WDFN ピン数:8 構成:8 x 8ビット 実装タイプ:表面実装 セルタイプ:スプリットゲート 動作供給電圧 Min:2.7 、 動作供給電圧 Max:3.6 、 長さ:6mm 高さ:0.8mm 幅:8mm 寸法:6 8 0.8mm 動作温度 Max: +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
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仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:SOIJ●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:5.26mm●高さ:1.98mm●幅:5.25mm●寸法:5.26 5.25 1.98mm●ワード数:8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:4.9mm 、 高さ:1.5mm 、 幅:3.9mm 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
24,980 税込27,478
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ SOIJ●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 5.26mm●高さ 1.98mm●幅 5.25mm●寸法 5.26 5.25 1.98mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
29,980 税込32,978
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:WDFN●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:6mm●高さ:0.75mm●幅:5mm●寸法:6 5 0.75mm●最大ランダムアクセス時間:3ns●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
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仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:16 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 ブロック構成:対称 、 長さ:10.3mm 、 高さ:2.05mm 、 幅:7.5mm 、 寸法:10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,198 税込1,318
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仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷