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Microchip 25AA256-I/P は、256 K ビットシリアル電気消去可能 PROM です。このメモリには、シンプルなシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)互換のシリアルバスを使用してアクセスします。必要なバス信号は、クロック入力(SCK)に加えて、データ入力(SI)とデータ出力(SO)の個別のラインです。デバイスへのアクセスは、チップ選択(CS)入力によって制御されます。デバイスとの通信は、ホールド(HOLD)ピンで一時停止させることができます。最大クロック: 10 MHz 低電力CMOSテクノロジー: 書き込み電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V - 読み取り電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V、10 MHz - スタンバイ電流: 1 μA @ 5.5V セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 高い信頼性: 耐久性: 100万回の消去 / 書き込みサイクル - データ保持: 200年 - ESD保護: 4000 V 対応温度範囲： 車載向けAEC-Q100認定
仕様メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = DFN 、PDIP 、SOIC 、TSSOP実装タイプ = スルーホールピン数 = 8構成 = 32 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 9.27 x 6.35 x 3.3mm動作温度 Max = +85 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥2,798
税込￥3,078
7日以内出荷
25AA256/25LC256 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA256/25LC256ファミリのデバイスは、256 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック: 10 MHz 最大書き込み電流: 5 mA 読み取り電流: 6 mA (標準) スタンバイ電流: 1 μA (標準) 32，768 x 8ビット構成 64バイトページ セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 耐久性: >1 M回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間 ESD保護: >4000 V
仕様メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 32 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mmワード数 = 32k
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥269
税込￥296
5日以内出荷
SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI)インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。Microchip製のSQIインターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ - ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 - アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
仕様メモリサイズ = 32Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIJピン数 = 8構成 = 4 M x 8ビット実装タイプ = 表面実装セルタイプ = スプリットゲート動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 3.6 Vブロック構成 = 対称長さ = 5.26mm高さ = 1.98mm幅 = 5.25mm寸法 = 5.26 x 5.25 x 1.98mm最大ランダムアクセス時間 = 3ns
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
￥31,980
税込￥35,178
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ ： 64kbit●インターフェースタイプ ： シリアル-SPI●パッケージタイプ ： SOIC●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●構成 ： 8 K x 8ビット●動作供給電圧 Min ： 2.5 V●動作供給電圧 Max ： 5.5 V●プログラミング電圧 ： 2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数 ： 8bit●寸法 ： 4.9 x 3.9 x 1.5mm●データ保持 ： 200年●Microchip 25LC640 シリーズは●低消費電力 CMOS テクノロジーを備えた 64 K ビットシリアル EEPROM です。電源オン / オフのデータ保護回路を備えています。最大クロック： 10 MHz 32バイトページ 書き込みサイクル時間は最大 5 ms です シーケンシャル読み取り 高い信頼性 ブロック書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥3,500
税込￥3,850
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ：256kbit●インターフェースタイプ：シリアル-SPI●パッケージタイプ：PDIP●実装タイプ：スルーホール●ピン数：8●構成：32 K x 8ビット●動作供給電圧 Min：2.5 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●プログラミング電圧：2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数：8bit●寸法：9.4 x 6.35 x 3.3mm●動作温度 Max：+85 ℃ns●25AA256/25LC256 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA256/25LC256ファミリのデバイスは、256 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック: 10 MHz 最大書き込み電流: 5 mA 読み取り電流: 6 mA (標準) スタンバイ電流: 1 μA (標準) 32768 x 8ビット構成 64バイトページ セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/41/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 耐久性: ＞1 M回の消去 / 書き込み データ保持: ＞200年間 ESD保護: ＞4000 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
￥28,980
税込￥31,878
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ：32kbit●インターフェースタイプ：シリアル-SPI●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●構成：4 k x 8ビット●動作供給電圧 Min：2.5 V●動作供給電圧 Max：5.5 V●プログラミング電圧：2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数：8bit●寸法：4.9 x 3.9 x 1.25mm●動作温度 Max：+85 ℃年●25AA320A/25LC320A SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA320A/25LC320Aファミリのデバイスは、32 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック: 10 MHz 最大書き込み電流: 5 mA 読み取り電流: 5 mA (標準) スタンバイ電流: 5 μA (標準) 4096 x 8ビット構成 32バイトページ セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/41/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 耐久性: ＞1000000回の消去 / 書き込み データ保持: ＞200年間 ESD保護: ＞4000 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥599
税込￥659
5日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様メモリサイズ：64Mbit 、 インターフェースタイプ：SPI 、 パッケージタイプ：WDFN 、 ピン数：8 、 構成：8 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：6mm 、 高さ：0.8mm 、 幅：8mm 、 寸法：6 x 8 x 0.8mm 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI )インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
￥299,800
税込￥329,780
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit インターフェースタイプ：SPI パッケージタイプ：WDFN ピン数：8 構成：8 x 8ビット 実装タイプ：表面実装 セルタイプ：スプリットゲート 動作供給電圧 Min：2.7 、 動作供給電圧 Max：3.6 、 長さ：6mm 高さ：0.8mm 幅：8mm 寸法：6 8 0.8mm 動作温度 Max： +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,298
税込￥1,428
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：SOIJ●ピン数：8●構成：8 x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：5.26mm●高さ：1.98mm●幅：5.25mm●寸法：5.26 5.25 1.98mm●ワード数：8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
￥47,980
税込￥52,778
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：4.9mm 、 高さ：1.5mm 、 幅：3.9mm 、 寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
￥24,980
税込￥27,478
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：WDFN●ピン数：8●構成：8 x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：6mm●高さ：0.75mm●幅：5mm●寸法：6 5 0.75mm●最大ランダムアクセス時間：3ns●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit 、 インターフェースタイプ：SPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：16 、 構成：8 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 ブロック構成：対称 、 長さ：10.3mm 、 高さ：2.05mm 、 幅：7.5mm 、 寸法：10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,998
税込￥2,198
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit、インターフェースタイプ：SPI、パッケージタイプ：SOIC、ピン数：8、構成：2 M x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V、動作供給電圧 Max：3.6 V、長さ：4.9mm、高さ：1.25mm、幅：3.9mm、寸法：4.9 x 3.9 x 1.25mm、ワード数：2M、SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,498
税込￥1,648
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：WDFN 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：6mm 、 高さ：0.8mm 、 幅：5mm 、 寸法：6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,598
税込￥1,758
7日以内出荷
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