「書き込みソフトウェア」の検索結果

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仕様PIC16F886マイクロコントローラ搭載の28ピンデモボード、USBケーブル、すべてのユーザガイド / 技術ドキュメント / ソースコードが収録されたCD。. PICkit シリアルアナライザ. PICkit シリアルアナライザは、PCと外部シリアルデバイス間で直接通信を行うためのUSBベースのツールです。テスト中のデバイスとのシリアル通信を容易に管理できます。 WindowsR GUIでハードウェアを設定したり、対象デバイスとの「スクリプト」による通信を設定したりできます。 ソフトウェアGUIで作成したスクリプトは、後で使用することができるように内部のライブラリに保存されます。 スクリプトは、簡単に実行できるようにプッシュボタンに割り当てることも、ライブラリインデックスから直接実行することもできます。 すべての通信データとイベントは、トランザクションウィンドウに可読形式で表示されます。. 対応プロトコル I2Cマスタ / スレーブ、SPIマスタ、USART非同期 / 同期、LIN (電気的仕様を満たすには外部ハードウェアが必要)、MICROWIRE 28ピンデモボードに、PIC16F886、スイッチ、LED、PICkit アナライザ用コネクタ、及び十分なプロトタイプエリアを搭載 プロセッサに、3種類のI2Cデバイス(EEPROM、ADC、リアルタイムクロック)のI2C通信及びエミュレーションをサポートするデモンストレーションファームウェアを搭載 サンプルのカスタムGUIが用意されていて、サポート対象の各シリアルプロトコルでのDLLの使用方法をデモンストレーション可能。 サンプルはVisual Basic 2005 Express (MicrosoftRから無償ダウンロード)のプロジェクト形式 シリアルアナライザソフトウェアはMicrosoftR .NET Frameworkを使用 存在しない場合は、インストールプロセスでインターネットから.NETを自動的にダウンロード
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13,980 税込15,378
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Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
仕様メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = パラレルパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 28構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 18.1 x 7.6 x 2.35mm動作温度 Max = +85 ℃ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
2,198 税込2,418
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メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = PLCC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mm。ワード数 = 8Kns。Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI)インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。Microchip製のSQIインターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ - ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 - アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護
仕様メモリサイズ = 32Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIJピン数 = 8構成 = 4 M x 8ビット実装タイプ = 表面実装セルタイプ = スプリットゲート動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 3.6 Vブロック構成 = 対称長さ = 5.26mm高さ = 1.98mm幅 = 5.25mm寸法 = 5.26 x 5.25 x 1.98mm最大ランダムアクセス時間 = 3ns RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
31,980 税込35,178
7日以内出荷

Microchip AT25080B シリーズ EEPROM は、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )互換の 8 K ビットシリアル読み取り専用 EEPROM です。このデバイスは、低消費電力と低電圧動作が不可欠な多くの産業及び商業用途での使用に最適化されています。産業用温度定格: -40 → +85 ℃ ハードウェアとソフトウェアの両方のデータ保護のための書き込み保護( WP )ピン及び書き込みディセーブル命令 32 バイトのページ書き込みモード 自己タイミング書き込みサイクルは最大 5 ms 以内 高い信頼性
仕様メモリサイズ = 8kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = SOIC-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 1 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mmデータ保持 = 100年 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
249,800 税込274,780
7日以内出荷

メモリサイズ = 32kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 4 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 4k。Microchip AT25320B シリーズ EEPROM は、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )互換の 32 K ビットシリアル読み取り専用 EEPROM です。このデバイスは、低消費電力と低電圧動作が不可欠な多くの産業及び商業用途での使用に最適化されています。産業用温度定格: -40 → +85 ℃ ハードウェアとソフトウェアの両方のデータ保護のための書き込み保護( WP )ピン及び書き込みディセーブル命令 64 バイトのページ書き込みモード 自己タイミング書き込みサイクルは最大 5 ms 以内 高い信頼性
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
329,800 税込362,780
7日以内出荷

メモリサイズ = 256kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 32 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 32k。Microchip AT25256B シリーズ EEPROM は、シリアルペリフェラルインターフェース( SPI )互換の 256 K ビットシリアル読み取り専用 EEPROM です。このデバイスは、低消費電力と低電圧動作が不可欠な多くの産業及び商業用途での使用に最適化されています。産業用温度定格: -40 → +85 ℃ ハードウェアとソフトウェアの両方のデータ保護のための書き込み保護( WP )ピン及び書き込みディセーブル命令 64 バイトのページ書き込みモード 自己タイミング書き込みサイクルは最大 5 ms 以内 高い信頼性
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(4000個)
749,800 税込824,780
7日以内出荷

Microchip ATtiny4 8 ビットマイクロコントローラは、ベースの AVR R RISC アーキテクチャです。1.8 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。このマイクロコントローラは、 4 KB ISP フラッシュ、 256 B EEPROM 、 256 B SRAM 、汎用 I/O ライン x 12 、汎用作業レジスタ x 32 、 PWM チャンネル x 2 の 8 ビットタイマ / カウンタ、 2 つの PWM チャンネル付き 16 ビットタイマ / カウンタ、内部及び外部割り込み、 8 チャンネル 10 ビット A/D コンバータ、プログラム可能なゲイン段( 1 x 、 20 倍)を備えています。 12 個の差動 ADC チャンネルペア、発振器を内蔵したプログラム可能ウォッチドッグタイマ、内蔵較正済み発振器、 3 種類のソフトウェア選択可能な省電力モード用です。最大スループット: 12 MIPS @ 12 MHz フラッシュ書き込み / 消去サイクル: 10 、 000 回 データ保持: 20 年 @ 85 ° C / 100 年 @ 25 ° C QTouch R ライブラリ対応静電容量型タッチ検出( 1 チャンネル) 16 ビットタイマ / カウンタ x 1 (プリスケーラ及び PWM チャンネル x 2 を搭載 プログラマブルウォッチドッグタイマ(独立したオンチップ発振器を搭載) 4 チャンネル、 8 ビットアナログ - デジタルコンバータ( ATtiny5/10 、のみ) オンチップアナログコンパレータ 外部 / 内部の割り込みソース 低電力アイドル、ADCノイズ除去、パワーダウンモード 強化されたパワーオンリセット回路 割り込み及びリセット付きのプログラム可能な電源電圧レベルモニタ 内蔵の較正済み発振器 使用温度範囲: -40 → 125 ° C 6 ピン SOT 及び 8 パッド UDFN パッケージです
仕様ファミリー名 = ATtiny4パッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6デバイスコア = AVRデータバス幅 = 8bitプログラムメモリサイズ = 8 kB最大周波数 = 20MHzRAMサイズ = 32 BUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 1SPIチャンネル数 = 0CANチャンネル数 = 0最大イーサネットチャンネル数 = 0mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,698 税込1,868
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:8mm 、 寸法:6 x 8 x 0.8mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI )インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(480個)
299,800 税込329,780
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit インターフェースタイプ:SPI パッケージタイプ:WDFN ピン数:8 構成:8 x 8ビット 実装タイプ:表面実装 セルタイプ:スプリットゲート 動作供給電圧 Min:2.7 、 動作供給電圧 Max:3.6 、 長さ:6mm 高さ:0.8mm 幅:8mm 寸法:6 8 0.8mm 動作温度 Max: +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:SOIJ●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:5.26mm●高さ:1.98mm●幅:5.25mm●寸法:5.26 5.25 1.98mm●ワード数:8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(90個)
47,980 税込52,778
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:4.9mm 、 高さ:1.5mm 、 幅:3.9mm 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max:+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(100個)
24,980 税込27,478
7日以内出荷

仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成 対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。 通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:16Mbit、インターフェースタイプ:SPI、パッケージタイプ:SOIC、ピン数:8、構成:2 M x 8ビット、実装タイプ:表面実装、セルタイプ:スプリットゲート、動作供給電圧 Min:2.7 V、動作供給電圧 Max:3.6 V、長さ:4.9mm、高さ:1.25mm、幅:3.9mm、寸法:4.9 x 3.9 x 1.25mm、ワード数:2M、SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:16Mbit 、 インターフェースタイプ:クワッドSPI 、 パッケージタイプ:WDFN 、 ピン数:8 、 構成:2 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 長さ:6mm 、 高さ:0.8mm 、 幅:5mm 、 寸法:6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様メモリサイズ:64Mbit●インターフェースタイプ:SPI●パッケージタイプ:WDFN●ピン数:8●構成:8 x 8ビット●実装タイプ:表面実装●セルタイプ:スプリットゲート●動作供給電圧 Min:2.7 V●動作供給電圧 Max:3.6 V●ブロック構成:対称●長さ:6mm●高さ:0.75mm●幅:5mm●寸法:6 5 0.75mm●最大ランダムアクセス時間:3ns●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
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仕様メモリサイズ:64Mbit 、 インターフェースタイプ:SPI 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:16 、 構成:8 M x 8ビット 、 実装タイプ:表面実装 、 セルタイプ:スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min:2.7 V 、 動作供給電圧 Max:3.6 V 、 ブロック構成:対称 、 長さ:10.3mm 、 高さ:2.05mm 、 幅:7.5mm 、 寸法:10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護 RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●ファミリー名: PIC18F●パッケージタイプ: TQFP●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 44●デバイスコア: PIC●データバス幅: 8bit●プログラムメモリサイズ: - kB●最大周波数: 20MHz●RAMサイズ: 768 B●USBチャンネル: 0●PWMユニット数: 1●SPIチャンネル数: 1●CANチャンネル数: 0●ADCユニット数: 1mm●Microchip PIC18F4431 拡張フラッシュマイクロコントローラは、高性能 PWM 及び A/D コンバータを備えた nanoWatt 技術を搭載しています。4.2 - 5.5 - の電圧範囲で動作します。このマイクロコントローラには、 16 KB のフラッシュプログラムメモリ、 768 バイトの SRAM - 256 - EEPROM が搭載されています。10 万回の消去 - 書き込みサイクルの拡張フラッシュプログラムメモリ(標準 100 万回の消去 - 書き込みサイクルのデータ EEPROM メモリ(標準 フラッシュ - データ EEPROM - 100 年保持 ソフトウェア制御下で自己プログラム可能 割り込みの優先度 8×8単一サイクルのハードウェア乗算器 拡張ウォッチドッグタイマ( WDT )のプログラム可能な時間は、 41 ms - 131S です - ピンによる単一電源インサーキットシリアルプログラミング(TM)( ICSP(TM)) 自動変換機能 割り込み周波数を選択可能な - ワード FIFO 選択可能な外部変換トリガ 収集時間をプログラム可能 使用温度範囲: -40 - +85 - C TQFP - Thin Quad Flatpack )パッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
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1,298 税込1,428
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仕様●ファミリー名: PIC18F●パッケージタイプ: TQFP●実装タイプ: 表面実装●ピン数: 44●デバイスコア: PIC●データバス幅: 8bit●プログラムメモリサイズ: - kB●最大周波数: 20MHz●RAMサイズ: 768 B●USBチャンネル: 0●PWMユニット数: 1●SPIチャンネル数: 1●CANチャンネル数: 0●PWM: - (CCP)、1 (ECCP)mm●Microchip PIC18F4420 フラッシュマイクロコントローラには、 - コンパイラで最適化された RISC アーキテクチャが搭載されています。4.2 - 5.5 - の電圧範囲で動作します。このマイクロコントローラには、 16 KB のフラッシュプログラムメモリ、 768 バイトの SRAM - 256 - EEPROM が搭載されています。最大パフォーマンス10 MIPS 10 万回の消去 - 書き込みサイクルの拡張フラッシュプログラムメモリ(標準 100 万回の消去 - 書き込みサイクルのデータ EEPROM メモリ(標準 フラッシュ - データ EEPROM - 100 年(標準)の保持 ソフトウェア制御下で自己プログラム可能 割り込みの優先度 8×8単一サイクルのハードウェア乗算器 拡張ウォッチドッグタイマ( WDT )のプログラム可能な時間は、 - ms - 131S です - ピンによる単電源 - V インサーキットシリアルプログラミング(TM)( ICSP(TM)) 2本のピンを介したIn-Circuitデバッグ(ICD) ソフトウェアイネーブルオプションでプログラム可能なブラウンアウトリセット(BOR) 使用温度範囲: -40 - +85 - C TQFP - Thin Quad Flatpack )パッケージ RoHS指令(10物質対応)対応
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