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パラレルアクセスEEPROM、Microchip

パラレルアクセスEEPROM、Microchip

Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = PLCC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mm。ワード数 = 8Kns。Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年

メモリサイズ = 16kbit。インターフェースタイプ = シリアル-3ワイヤー。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 1024 x 16ビット、2048 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 2.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 2.7 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8 bit， 16bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 1024， 2048ns。シリアルアクセスEEPROM

Microchip AT25080B シリーズ EEPROM は、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )互換の 8 K ビットシリアル読み取り専用 EEPROM です。このデバイスは、低消費電力と低電圧動作が不可欠な多くの産業及び商業用途での使用に最適化されています。産業用温度定格: -40 → +85 ℃ ハードウェアとソフトウェアの両方のデータ保護のための書き込み保護( WP )ピン及び書き込みディセーブル命令 32 バイトのページ書き込みモード 自己タイミング書き込みサイクルは最大 5 ms 以内 高い信頼性

メモリサイズ = 1kB。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 128 x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 128ns

メモリサイズ = 256kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 28。構成 = 32 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 18.1 x 7.6 x 2.35mm。データ保持 = 10年

メモリサイズ = 32kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 4 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 4k。Microchip AT25320B シリーズ EEPROM は、シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI )互換の 32 K ビットシリアル読み取り専用 EEPROM です。このデバイスは、低消費電力と低電圧動作が不可欠な多くの産業及び商業用途での使用に最適化されています。産業用温度定格: -40 → +85 ℃ ハードウェアとソフトウェアの両方のデータ保護のための書き込み保護( WP )ピン及び書き込みディセーブル命令 64 バイトのページ書き込みモード 自己タイミング書き込みサイクルは最大 5 ms 以内 高い信頼性

メモリサイズ = 64kB。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 3.1 x 4.5 x 1.05mm。データ保持 = 100年

メモリサイズ = 256kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 32 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 32k。Microchip AT25256B シリーズ EEPROM は、シリアルペリフェラルインターフェース( SPI )互換の 256 K ビットシリアル読み取り専用 EEPROM です。このデバイスは、低消費電力と低電圧動作が不可欠な多くの産業及び商業用途での使用に最適化されています。産業用温度定格: -40 → +85 ℃ ハードウェアとソフトウェアの両方のデータ保護のための書き込み保護( WP )ピン及び書き込みディセーブル命令 64 バイトのページ書き込みモード 自己タイミング書き込みサイクルは最大 5 ms 以内 高い信頼性

メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = シリアル-SPI。パッケージタイプ = SOIC-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 1.8 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.5mm。ワード数 = 8k

25AA1024 / 25LC1024 SPIシリアルEEPROM